Оборудование для силовой электроники и мощных микросхем
|
 |
Силовые полупроводниковые устройства используются как переключатели или выпрямители в силовых электронных схемах. Обычно их использование происходит в автомобильной, аэрокосмической отраслях, промышленности и при производстве радаров. Обычно силовые микросхемы представляют собой мощные (силовые) диоды, тиристоры, полевые MOSFET-транзисторы, биполярные транзисторы с изолированным затвором. Мощные (силовые) диоды или MOSFET-транзисторы, например, работают по сходным принципам, что и низкомощные устройства, но имеют возможность обработать большие токи и обычно поддерживают большие смещения в выключенном состоянии.
Типичные параметры полевых MOSFET-транзисторов - напряжение пробоя и сопротивление включенного состояния (RDSon). Оба зависят от степени легирования и толщины эпитаксиального слоя. Чем толще эпитаксиальный слой и меньше степень легирования, тем больше напряжение пробоя. И наоборот, чем тоньше слой и выше степень легирования, тем ниже сопротивление включенного состояния и, соответственно, ниже потери электропроводности в устройстве.
 |
Эксперты в силовой электронике разработали ряд решений тестивания силовых микросхем, которые позволяют решать самые разные задачи:
- Ручные и автоматические зондовые станции для тестирования силовых микросхем на пластинах от 1 до 300 мм
- Высокая изоляция при тестировании микросхем до 10 кВ
- Триаксиальные зонды на 3 кВ с защищенной областью
- Контакты с низким сопротивлением до 100 А (импульсно)
- 50-омная среда для точного импульсного тестирования
- Уникальная конструкция защиты оператора и самой системы
- Держатели Бернулли для операций с тонкими подложками
- Активное термическое охлаждение ВЧ-зондов и зондовых плат
- Уже готовые интеграционные наборы для различного измерительного оборудования (например, Agilent B1505A)
Для характеризации мощных силовых устройств компания разработала уникальные зондовые головки для силовых измерений |Z| Probe® Power, которые могут быть использованы при измерениях до 66 Вт на 2,4 ГГц и до 43 Вт на 5 ГГц. В дополнение к этому, типичные вносимые потери, не превышающие 0,4 dB на частотах до 40 ГГц, обеспечивают превосходные результаты ВЧ-измерений.
Подробно про Z-probe Power (pdf, 170 КБ, английский)
Для измерений силовых микросхем мы предлагаем следующие зондовые станции:
Автоматическая зондовая станция PA200PS Power для тестирования на пластинах до 200 мм.3 кВ при триаксиальном зонде, 10 кВ при коаксиальном зонде, импульс до 100 А
Подробное описание преимуществ системы (pdf, 600 КБ, английский) Технические характеристики системы (pdf, 450 КБ, английский) |
|
Ручная зондовая стация PM8DSP Power для тестирования на пластинах до 200 мм.3 кВ при триаксиальном зонде, 10 кВ при коаксиальном зонде, импульс до 100 А
|
 |
Ручная зондовая стация PM8 Power для тестирования на пластинах до 200 мм.3 кВ при триаксиальном зонде, 10 кВ при коаксиальном зонде, импульс до 100 А
|
 |
Ручная зондовая стация PM5 Power для тестирования на пластинах до 150 мм.3 кВ при триаксиальном зонде, 10 кВ при коаксиальном зонде, импульс до 100 А
|
 |
Ручная зондовая стация EP6 Power для тестирования на пластинах до 150 мм.3 кВ при триаксиальном зонде, 3 кВ при коаксиальном зонде, импульс до 20 А
|
 |
