Установки Corial серии 200 выполняют следующие процессы:
| Наименования процессов: |
D250L |
200D |
200FA |
200RL |
200ML |
200IL |
| Осаждение SiO2, Si3N4, SiC, aSi-H |
+++ |
|
|
|
|
|
| Низкотемпературное осаждение SiO2 и Si3N4 |
+ |
+++ |
|
|
|
|
| Кремниевые структуры и травление полимеров |
|
+ |
|
+++ |
+++ |
+++ |
| Травление металлов с хлорированной химией |
|
|
|
++ |
++ |
+++ |
| Травление структур III-V и II-VI |
|
|
|
|
+++ |
+++ |
| Травление сапфира и арсенида галлия (GaN) |
|
|
|
|
|
+++ |
| Анализ ошибок (по слоям) |
|
|
+++ |
+ |
+++ |
+++ |
| Травление с низким уровнем дефектности |
|
|
|
+ |
+++ |
++ |
Установки Corial серии 300 выполняют следующие процессы:
| Наименования процессов: |
D350L |
300R |
300IL |
400L |
| Осаждение SiO2, Si3N4, SiC, aSi-H, SiOxNy |
+++ |
|
|
|
| Кремниевые структуры и травление полимеров |
|
+++ |
+++ |
+++ |
| Травление хрома в хлорной химии |
|
+++ |
|
++ |
| Травление структур III-V и II-VI |
|
|
+++ |
|
| Травление сапфира и арсенида галлия (GaN) |
|
|
+++ |
|
| Анализ ошибок (по слоям) на подложках до 300 мм |
|
++ |
+++ |
|
| Травление с низким уровнем дефектности |
|
|
++ |
|
Фотографии процессов и результатов, достигнутых на установках Corial, можно посмотреть в специальной фотогалерее
Предлагаем ознакомиться с продукцией фирмы:
|
Установка осаждения диэлектриков. Эта PECVD -система предназначена для осаждения на подложки следующих пленок: SiO2, Si3N4, SiOxNy, aSi-H
Возможности системы:
- Высокотемпературный изотермический реактор, находящийся внутри вакуумной камеры, обеспечивает высокую равномерность пленок.
- Симметричный дизайн реактора позволяет проводить бомбардировку ионами пластины с достижением минимального стресса.
- Плазменный реактор изготовлен из алюминия, что позволяет избежать коррозии при травлении для чистки.
- Детектор окончания процесса полностью интегрирован в программное обеспечение и механику системы.
Подробнее о системе |
 |
|
Низкотемпературная система осаждения диэлектриков (Si3N4 и SiO2) и травления в индуктивно связанной плазме на пластинах до 200 мм. Система осуществляет осаждение при температурах подложки от 20 до 200C. Оснащена шлюзом.
Возможности системы:
- Уникальный дизайн «газового душа» SiH4 (запатентованно) и симметричная откачка позволяют обеспечивать отличную равномерность наносимых пленок .
- Возможность совмещать в одной камере процессы травления и осаждения (условие – плазменная очистка реактора и изменение композиции газового душа).
- Поддержка температуры пластин при процессе благодаря охлаждению обратной стороны гелием.
- РЧ-смещение, которое позволяет контролировать напряженность осажденных пленок.
- Детектор окончания процесса (устанавливается опционально) полностью интегрирован в программное обеспечение и механику системы.
- Удаленный контроль системы через Интернет через VPN . Брандмауэр включен в поставку системы. Такая система позволяет проводить поддержку пользователей без задержек.
Подробнее о системе |
 |
|
Семейство систем реактивно-ионного травления и индуктивно спаренной плазмы, которые предназначены для травления кремниевых сплавов SiO2 , Si3N4 и металлов ( W, Nb, Ta, Mo) с химией, основанной на фторировании и хлорировании.
Corial 200R, установка реактивно-ионного травления в базовой конфигурации
Возможности системы:
- Установка стандартно укомплектована безмасляным насосом
- Использование специальных челноков оптимизировано для каждого процесса перехода с кремниевого травления к травлению металлов. Это позволяет минимизировать эффект памяти и перезагрязнение.
- Использование вакуумного замка обеспечивает безопасность и повторяемость процесса
- Датчик завершения процесса полностью интегрирован в систему и в программное обеспечение. Это дает возможность контроля за процессом травления, определения степени травления в реальном времени и подсчет глубины травления с автоматической остановкой процесса
Подробнее о системе
|
 |
|
Эта система индуктивно совмещенной плазмы с вакуумным шлюзом предназначена для травления GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe, AlN, InAs, Al и Si. Если система укомплектована CCD-камерой с лазерным датчиком окончания процесса, это дает возможность автоматической многошаговости процесса.
Возможности системы:
- Уникальный дизайн специальных челноков со стандартным катодом позволяет адаптировать реактор под широкий спектр применений. Это позволяет оптимизировать систему для использования различных процессов, объектов и размеров объектов травления.
- Контроль смещения DC позволяет точно контролировать энергии ионов во время травления
- Датчик завершения процесса полностью интегрирован в систему и в программное обеспечение. Это дает возможность контроля за процессом травления, определения степени травления в реальном времени и подсчет глубины травления с автоматической остановкой процесса.
- В реальном времени возможен удаленный доступ к системе через доступ в Интернет.
- Все системы Кориал созданы по модульному принципу для максимальной повторяемости используемой элементной базы и стандартных узлов. Оборудование может прогрессивно наращиваться от простой камеры РИТ до системы ИСП с вакуумным шлюзом и расширенной газовой панелью
- Возможна установка шлюза для сокращения времени вакуумной откачки
Подробнее о системе |
 |
