Литография микросхем - SUSS MJB4Литографическое производство микросхем происходит с помощью установки совмещения и экспонирования. Для НИОКР и пилотных производств мы можем предложить установку контактной литографии микросхем SUSS MJB4, предшественницей которой была популярная SUSS MJB3. Новая установка контактной литографии микросхем унаследовала от предшественницы непревзойденное удобство в работе и обслуживании и получила усовершенствования, позволяющие работать на субмикронном разрешении.
Среди преимуществ системы литографии микросхем можно отметить:
Установка обеспечивает следующие методы контакта:НизковакуумныйДля маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку. Достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте.Мягкий контактПри этом виде контактирования MJB4 может достигать разрешения в 2,0 микрона.Жесткий контактПри этом методе зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной. Пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 микрона.Вакуумный контактMJB4 может работать в режиме вакуумного контакта, позволяя достигнуть субмикронного разрешения. Для более высокого разрешения повышаются требования и к подборке фоторезиста.Контакт с зазоромХотя MJB4 и не рассматривается как система совмещения с зазором, метод контактирования gap printing позволяет производить экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки. Это позволяет избежать быстрого износа фотошаблона
Оптика в установкеSUSS MicroTec предлагает набор конфигураций оптики, позволяющей снизить дифракцию экспонирования при различных спектрах длины волны. Дифракция – очень важный фактор в улучшении разрешения и улучшения формирования оптимальных боковых срезов в фоторезисте.
Конструкция установки литографии микросхем
Микроскопы
|





