Дополнительная информация:

Официальный сайт фирмы Suss MicroTec

 

Литография микросхем - SUSS MJB4

 

Литографическое производство микросхем происходит с помощью установки совмещения и экспонирования. Для НИОКР и пилотных производств мы можем предложить установку контактной литографии микросхем SUSS MJB4, предшественницей которой была популярная SUSS MJB3. Новая установка контактной литографии микросхем унаследовала от предшественницы непревзойденное удобство в работе и обслуживании и получила усовершенствования, позволяющие работать на субмикронном разрешении.

 

Среди преимуществ системы литографии микросхем можно отметить:

  • Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон

  • Размер обработки пластин и подложек - до 100 мм диаметром (пластины) и до 100х100 мм (подложки).
  • Специальные держатели для кусков пластин, А3-Б5, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ
  • Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа
  • Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см2
  • Минимальные затраты на обучение операторов установки
  • Продуманная эргономика
  • Графический интерфейс пользователя управляет функциями установки со специального экрана, чувствительного к нажатиям
  • Легкий доступ ко всем элементам установки
  • При необходимости устанавливается лазерное оборудование

Установка обеспечивает следующие методы контакта:

Низковакуумный

Для маленьких и хрупких подложек используется экспонирование при низковакуумном контакте. При этом виде контактирования снижается нагрузка по подложку. Достигается разрешение, превышающее параметры при мягком и жестком контакте.

Мягкий контакт

При этом виде контактирования MJB4 может достигать разрешения в 2,0 микрона.

Жесткий контакт

При этом методе зазор между шаблоном и пластиной еще меньше благодаря поддуву азота под пластиной. Пластина прижимается плотней к шаблону и разрешение может достигать 1 микрона.

Вакуумный контакт

MJB4 может работать в режиме вакуумного контакта, позволяя достигнуть субмикронного разрешения. Для более высокого разрешения повышаются требования и к подборке фоторезиста.

Контакт с зазором

Хотя MJB4 и не рассматривается как система совмещения с зазором, метод контактирования gap printing позволяет производить экспонирование с зазором до 50 микрон после предварительного совмещения маски и подложки. Это позволяет избежать быстрого износа фотошаблона

 

Оптика в установке

SUSS MicroTec предлагает набор конфигураций оптики, позволяющей снизить дифракцию экспонирования при различных спектрах длины волны. Дифракция – очень важный фактор в улучшении разрешения и улучшения формирования оптимальных боковых срезов в фоторезисте.

 

Конструкция установки литографии микросхем

  1. Держатель маски.

  2. Маска.
  3. Подложка
  4. Столик для подложки
  5. Модуль столика
  6. Шпиндель
  7. Прецизионная подача на подшипниках
  8. Пневматический тормоз
  9. Выравнивающие пружины

Микроскопы

Высокая точность совмещения достигается за счет использования микроскопов. Стандартное верхнее совмещение выполняется с микроскопом M604 двойного поля. Оборудованный 10-кратным объективом, он позволяет одновременный обзор шаблона и пластины. Для совмещения маленьких подложек может использоваться более экономная версия микроскопа М500 одного поля. Оба микроскопа позволяют достигнуть разрешения до 1 микрона и ниже. Для ручного совмещения обычно используется полная глубина фокуса объектива.

Для субмикронного совмещения нет необходимости определять субмикронные структуры. Для высокой точности совмещения используется специальные 20-кратные объективы. Они компенсируют просмотр через шаблон.

 

 

Контакты | For partners (in English) © TBS - Technology & Business Solutions