Системы травления

Мы предлагаем системы травления хорошо себя зарекомендовавшей французской фирмы Corial (бывшая Nextral).

Corial 200R

Система реактивно-ионного травления, которая предназначена для травления кремниевых сплавов SiO2 , Si3N4 и металлов ( W, Nb, Ta, Mo) с химией, основанной на фторировании.

Возможности системы:

  • Установка стандартно укомплектована безмасляным насосом
  • Использование специальных челноков оптимизировано для каждого процесса перехода с кремниевого травления к травлению металлов. Это позволяет минимизировать эффект памяти и перезагрязнение.
  • Использование вакуумного замка обеспечивает безопасность и повторяемость процесса
  • Датчик завершения процесса полностью интегрирован в систему и в программное обеспечение. Это дает возможность контроля за процессом травления, определения степени травления в реальном времени и подсчет глубины травления с автоматической остановкой процесса

Подробнее о системе

Corial 200D

Низкотемпературная система осаждения диэлектриков (Si3N4 и SiO2) и травления в индуктивно связанной плазме на пластинах до 200 мм. Система осуществляет осаждение при температурах подложки от 20 до 200C. Оснащена шлюзом.

Возможности системы:

  • Уникальный дизайн «газового душа» SiH4 (запатентованно) и симметричная откачка позволяют обеспечивать отличную равномерность наносимых пленок .
  • Возможность совмещать в одной камере процессы травления и осаждения (условие – плазменная очистка реактора и изменение композиции газового душа).
  • Поддержка температуры пластин при процессе благодаря охлаждению обратной стороны гелием.
  • РЧ-смещение, которое позволяет контролировать напряженность осажденных пленок.
  • Детектор окончания процесса (устанавливается опционально) полностью интегрирован в программное обеспечение и механику системы.
  • Удаленный контроль системы через Интернет через VPN . Брандмауэр включен в поставку системы. Такая система позволяет проводить поддержку пользователей без задержек.

Подробнее о системе

Corial 200I

Эта система индуктивно совмещенной плазмы с вакуумным шлюзом предназначена для травления GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe, AlN, InAs, Al и Si. Если система укомплектована CCD-камерой с лазерным датчиком окончания процесса, это дает возможность автоматической многошаговости процесса.

Возможности системы:

  • Уникальный дизайн специальных челноков со стандартным катодом позволяет адаптировать реактор под широкий спектр применений. Это позволяет оптимизировать систему для использования различных процессов, объектов и размеров объектов травления.
  • Контроль смещения DC позволяет точно контролировать энергии ионов во время травления
  • Датчик завершения процесса полностью интегрирован в систему и в программное обеспечение. Это дает возможность контроля за процессом травления, определения степени травления в реальном времени и подсчет глубины травления с автоматической остановкой процесса.
  • В реальном времени возможен удаленный доступ к системе через доступ в Интернет.
  • Все системы Кориал созданы по модульному принципу для максимальной повторяемости используемой элементной базы и стандартных узлов. Оборудование может прогрессивно наращиваться от простой камеры РИТ до системы ИСП с вакуумным шлюзом и расширенной газовой панелью
  • Возможна установка шлюза для сокращения времени вакуумной откачки

Подробнее о системе

 

 

Контакты | For partners (in English) © TBS - Technology & Business Solutions