Мы на карте
Для получения информации оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Нажимая кнопку «Отправить», я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом №152-ФЗ, на условиях и для целей, определенных в Согласии на обработку персональных данных.
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Компания ТБС
Оборудование Компоненты Сервис
Москва, Нижний Сусальный пер. 5, стр. 4
Меню
главнаяоборудованиеинжинирингсервис
комплектующие
производителиреализованные проекты

JSS

Посеребренная плоская прокладка
  • картинка

Предназначение:

Для применения с веществами сверхвысокой степени чистоты: Для соединений без зазора, соответствующих стандарту DNI-JISS


Основные возможности:

  • Особо герметичное уплотнение «металл-металл»
  • Очистка, сборка и двойная упаковка производится в помещении класса чистоты 10
  • 3 варианта класса шероховатости внутренней поверхности: Ra 0,08 / 0,15 / 0,40 мкм (Ra 3 / 5 / 16 мкдюйм)
  • Большой выбор метрических и дюймовых размеров

  • Диапазон температур: от -270º C до +538º C, от -454º F до +1000º F

  • Макс. рабочее давление: См. таблицы давлений




Спасибо!
Мы направили вам на электронный адрес
подробное техническое описание оборудования jss


Получить брошюру на почту
Оставьте свой электронный адрес и мы вышлем вам
подробное техническое описание оборудования jss
Нажимая кнопку «Получить», я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом №152-ФЗ, на условиях и для целей, определенных в Согласии на обработку персональных данных.
×
картинка495 287 8577
   картинкаinfos@tbs-semi.ru
лого
Наш адрес
105064, Москва, Нижний Сусальный пер. 5, стр. 4
картинкаНайти на карте
Обратная связь
Нажимая кнопку «Отправить», я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом №152-ФЗ,
на условиях и для целей, определенных в Согласии на обработку персональных данных.

© 2025. Фирма "ТБС". Поставщик оборудования для производства полупроводниковых устройств

Наверх