Эта система индуктивно связанной плазмы с вакуумным шлюзом предназначена для плазмохимического травления GaN, GaAs, GaP, GaAlAs, InP, InGaAsP, ZnS, CdTe, AlN, InAs, Al и Si. Система может быть укомплектована CCD-камерой с лазерным датчиком, который в реальном времени измеряет толщину стравливаемого слоя. Программное обеспечение позволяет создать многошаговый процесс и полностью автоматизировать его.