---

В связи с возрастанием требований к характеристикам МЭМС все более широкое применение при создании 3D-интегрированных структур (3D-ИС) находят технологии выполнения TSV (Through Silicon Vias — сквозные отверстия в кремнии). Однако существующие на сегодняшний день процессы металлизации термовакуумным осаждением из паровой фазы неэффективны при металлизации TSV за пределами аспектного отношения 8:1. 

Новое решение от компании M-O-T GmbH (Германия), система электрохимического осаждения µGalv, позволяет формировать зародышевый слой меди в отверстиях с аспектным отношением 10 и более, а также осаждать медь на поверхности пластин в эти отверстия. Система подходит для изготовления TSV при промышленном производстве или разработке МЭМС, полупроводников, оптики, солнечных батарей и других задач полупроводниковой промышленности.

В основе работы системы μGalv лежат инновационные технологии металлизации от компании aveni (Франция) – Electrografting (eG™) и Chemicalgrafting (cG™), которые позволяют быстро и эффективно формировать конформные плёнки в нижней части и по бокам TSV, а также заполнять металлом TSV без возникновения пустот и каверн. 

Металлизация по технологии aveni подходит даже для самых узких TSV, увеличивая тем самым производительность.

Узнать подойдет ли система µGalv для решения Ваших задач, а также получить расширенные технические характеристики Вы можете у специалистов компании «ТБС».