Мы на карте
Для получения информации оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Оборудование Компоненты Сервис
Москва, ул. Киевская, д.7

Автоматическая установка совмещения и экспонирования SUSS MA200 Gen3

Германия
  • картинка
  • картинка
  • картинка
картинкакартинкакартинка

Автоматическая установка совмещения и экспонирования для массового объема выпуска. Обработка пластин до 200 мм. Производительность до 150 пластин в час. Усовершенствованная система транспорта позволяет достичь рекордной производительности даже на 200-мм подложках

Производитель: SUSS MicroTec
Страна производитель: Германия
Возможность двухэтапной приемки
на заводе производителе

Основные возможности:

  • Прямое совмещение: точность 0.5 микрон (3сигма) с улучшенным программным обеспечением распознавания образов
  • Компактные габаритные размеры 2.12м2
  • Автоматическая работа с 2 кассетами (опционально 4 кассеты)
  • SECSII/GEM функциональные возможности
  • Максимальная пропускная способность более 100 подложек в час
  • Разрешающая способность: менее 3 микрон (на зазоре), 1 микрон (при контакте), субмикронное (при вакуумном контакте)

Инжиниринговые услуги:

Системы виброзащиты оборудования

Подойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта
MA200 GEN3 - литография всей поверхности пластины от исследовательских задач до крупносерийного производства.

Содержание:
Области применения
Совмещение
Опции
Экспонирующая оптика
Экспонирование под углом
Дополнительные опции


Инженеры-технологи по всему миру воплотили в реальность предсказание Мура о постоянно растущей производительности программных плат. Элементы становятся все меньше и перед отраслью интеграции кристаллов встают новые непростые задачи. Требования к равномерности структур и точности наложения постоянно растут. Сокращенные рабочие циклы требуют гибкости процессов, например в области производства мобильных телефонов.
 
В то же время, для таких разработок необходимо гибкое оборудование, которое сможет поддерживать такую быстро меняющуюся среду, а также серьезная стабильность производственных процессов для соблюдения жестких допусков.

Благодаря многолетнему опыту на рынке полупроводниковых структур компания SUSS MicroTec понимает существующие нужды отрасли и прилагает все усилия, чтобы помочь своим клиентам решать стоящие перед ними задачи, предлагая первоклассное оборудование для фотолитографии. Особая оптика обеспечивает превосходную равномерность засветки, а режим дозиметрического контроля позволяет добиться высокой стабильности обработки. Это, а также проверенное качество механических элементов, делает установку совмещения и экспонирования MA200 Gen3 надежным устройством для процессов в массовом производстве.

Платформа установки совмещения создана с учетом ряда требований и позволяет оперативно менять оптику и быстро настраивать оборудование. Опыт нашей команды инженеров в области анализа потребностей клиентов и их трансформации в технические решения дополняет подход SUSS MicroTec к своей работе.

suss ma200 gen3.png

Основные моменты

Инновационные элементы установки MA200 Gen3 позволяют добиться высоких уровней совершенства эксплуатации и надежности, оптимизированной производительности и экономичности.

  • Выдающаяся стабильность процессов
  • Превосходная надежность
  • Не имеющая равных производительность при работе с толстопленочными материалами
  • Гибкость процессов для широкого ряда возможностей
  • Более шестидесяти лет опыта в отрасли

Области применения


MA200 Gen3 МЭМС.png

МЭМС

Благодаря экспонирующей оптике высокой интенсивности установка MA200 Gen3 эффективно обрабатывает толстопленочные слои резиста, которые превалируют в области МЭМС. Среди инновационных элементов особые модули процессов, такие как специальные устройства для обработки кромки, инструменты для обработки деформированных пластин, а также системы для инфракрасного совмещения экспонирования с наклоном для перпендикулярных и наклонных стенок.

Благодаря этим элементам система MA200 Gen3 является платформой для проявления и производства устройств МЭМС.
MA200 Gen3 Корпусирование на уровне пластины.png

Корпусирование на уровне пластины

Система MA200 Gen3 предназначена для использования в процессах фотолитотографии с толстопленочным резистом, например для корпусирования на уровне пластины, в целом и в процессах 3D-интеграции, например, для формирования столбиковых выводов. Высокая пропускная способность, а также отличные характеристики совмещения максимально увеличивают производительность и обеспечивают минимальные возможные затраты при эксплуатации.

Дополнительные инструменты, например для обработки деформированных пластин, совмещения задней стороны или в ИК-излучении позволяют использовать систему MA200 Gen3 в области 3D-интеграции, например при перераспределении слоев на задней стороне пластины или в процессах с использованием технологии TSV.
MA200 Gen3 Сверхяркие СИДы.png

Сверхяркие СИДы

Платформа MA200 широко используется в передовых процессах при производстве сверхярких светодиодов. Улучшенная технология распознавания структур обеспечивает надежное и точное совмещение размытых или слабоконтрастных меток. Инструменты для работы с хрупкими и деформированными пластинами позволяют обрабатывать составные полупроводники, такие как GaN или SiC.

Высокая пропускная способность и субмикронная точность совмещения, а также особая оптика W150 с очень высокой интенсивностью УФ-излучения делают установку MA200 Gen3 высокоэффективной системой для производства устройств, чувствительных к стоимости, таких как сверхяркие СИДы.

Совершенство процессов


Установка совмещения и экспонирования MA200 Gen3 подходит для использования с различными типами новых технологий и производства устройств в области 3D-интеграции, МЭМС, СИД, корпусирования на уровне пластин, составных полупроводников и фотоэлектрических устройств. На основе многих процессов, которые изначально не использовались при производстве полупроводников, возникли новые методы изготовления. Совершенный дизайн системы MA200 Gen3 объединяет многие из этих технологических тенденций на полностью автоматической платформе, которая обеспечивает отличный результат при оптимизированной стоимости на пластину.

Выдающаяся разрешающая способность Размытие края изображения Вертикальные стенки Отличное качество структуры толстопленочного резиста
MA200 Gen3 выдающаяся разрешающая способность.png MA200 Gen3 Размытие края изображения.png
MA200 Gen3 Вертикальные стенки.png MA200 Gen3 Отличное качество структуры толстопленочного резиста.png
Пространственное и разрешение по строкам 2.5 и 3 мкм. Результат экспонирования с зазором 20 мкм с резистом DNR-L300-D1 на структурированном 2" GaN на сапфировой подложке

Структура кристалла RFID-приемоответчика, которая используется для меток идентификатора или электронных систем взимания платы. Негативный резист JSR THB 126N 30 мкм

3D WLP TSV шаблон для травления в AZ9260 (отверстия 5 мкм, толщина 10 мкм)

микродеталь МЭМС: толщина 250 мкм SU8


Высокоточное микромеханическое структурирование Признанные технологические возможности Возможность экспонирования вертикальных стенок Опыт в области обработки МЭМС
MA200 Gen3 Высокоточное микромеханическое структурирование.png MA200 Gen3 Признанные технологические возможности.png
MA200 Gen3 Возможность экспонирования вертикальных стенок.png MA200 Gen3 Опыт в области обработки МЭМС.png
Торсионный храповый пускатель с вибрационной внутренней рамой для запуска опорного зубчатого колеса Корпусирование датчика изображений с КМОП-структурой с перераспределением слоя на задней стороне корпуса ВЧУ в размер кристалла Маркировка со считывающей /записывающей головкой

Совмещение. Точность в сочетании с автоматизацией.


Высокая надежность, быстрое и точное совмещение в литографических процессах является ключом к высокой производительности в производстве устройств. Благодаря разнообразным технологиям совмещения, отвечающим требованиям процессов и высокой степени автоматизации, установка MA200 Gen3 обеспечивает лучшую в классе точность совмещения для получения оптимальных результатов.

Проблема: изменение рисунка

Проблема: изменение рисунка + дефекты мишени

Проблема: тонкие мишени или "почти" нет мишени



СОВМЕЩЕНИЕ С ВЕРХНЕЙ СТОРОНЫ


Система совмещения с верхней стороны системы MA200 Gen3 позволяет добиться точности совмещения вплоть до 0.5 мкм (3 ð) во время расположения шаблона над пластиной (DirectAlign).


СОВМЕЩЕНИЕ С НИЖНЕЙ СТОРОНЫ


В дополнение к совмещению с верхней стороны для многих областей, таких как МЭМС, требуется точное совмещение с нижней стороны. Для этой цели систему MA200 Gen3 можно опционно оборудовать светлопольными микроскопами. Они имеют переключатель оптического увеличения и позволяют добиться точности совмещения 1 мкм (3 ð). В микроскопе для совмещения с нижней стороны с единым и расщепленным полем используются ПЗС-камеры высокого разрешения. Уникальная система хранения и обработки изображений в режиме реального времени точнее и быстрее, чем стандартное совмещение с перекрестием.


ИК-СОВМЕЩЕНИЕ


Совмещение в инфракрасном свете позволяет обрабатывать непрозрачные материалы, которые прозрачны для ИК-излучения, например GaAs, InP, кремний или адгезивы, которые используются при работе с тонкими пластинами или в процессах инкапсуляции. Система MA200 Gen3 может быть оснащена передающим или отражающим ИК-излучение комплектом инструментов, который монтируется на стандартный BSA-микроскоп.


Suss MA200 Gen3 АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА С РАСПОЗНАВАНИЕМ СТРУКТУР.png


АВТОМАТИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА С РАСПОЗНАВАНИЕМ СТРУКТУР


В основе установки совмещения и экспонирования MA200 Gen3 лежит алгоритм поиска PatMax, который является промышленным стандартом для распознавания структур. PatMax улучшает надежность совмещения в производственном процессе, заменяя серую шкалу, соответствующую распознаванию структуры. Это уменьшает влияние изменений в освещении и поврежденных меток и позволяет добиться масштабирования объекта и гибкости ориентации. Таким образом, PatMax сводит к минимуму расходы, вызванные ошибками совмещения и остановками системы.

Редактор совмещения Vision Pro предоставляет пользователям полный контроль над результатами обучения и качеством модели с помощью визуальной обратной связи. Грамотно составленное руководство позволит провести настройку надежных моделей меток.

ОПЦИИ


DIRECTALIGN - СУБМИКРОННАЯ ТОЧНОСТЬ


В качестве дополнительной характеристики программа DirectAlign компании SUSS MicroTec ускоряет работу стандартного автоматического совмещения с помощью формирования прямого изображения рисунка даже при больших зазорах и без включения системы хранения изображений. Совмещение с верхней стороны с помощью DirectAlign позволяет добиться точности до 0.5 мкм (3 ð) для достижения наилучших результатов среди установок совмещения на рынке.


  х слева x справа y слева y справа MA200 gen3 DIRECTALIGN СУБМИКРОННАЯ ТОЧНОСТЬ.png
Среднее 0.01 -0.04 0.03 0.02
Диапазон ± 0.13 0.13 0.25 0.25
3 сигма 0.17 0.23 0.30 0.31

СОВМЕЩЕНИЕ В СВЕТЛОМ ПОЛЕ


Предназначенная для работы с темнопольными шаблонами, технология перемещения шаблона в чистом поле (LC MM) автоматически выводит шаблон из поля видимости, чтобы точно охранить положение метки пластины. Прямые изображения меток пластины совмещаются с сохраненными положениями, и необходимость в чистых полях в процессной области фотошаблона пропадает.


НАСТРОЙКА ЗАЗОРА


Установка совмещения и экспонирования MA200 Gen3 позволяет провести настройку активного зазора для дополнительной стабилизации расстояния от шаблона до пластины. Система автоматически исправляет отклонение в стандартном расстоянии между пластиной и фотошаблоном. Система мониторинга помогает оператору выявить неисправимые ошибки до начала экспонирования, таким образом защищая материал.


THERMALIGN КОМПЕНСАЦИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ВЛИЯНИЯ.png

THERMALIGN - КОМПЕНСАЦИЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ВЛИЯНИЯ


Компенсация термического расширения пластины и шаблона является важным фактором для улучшения точности совмещения экспонирующих систем полного поля. Система контроля температуры ThermAlign компенсирует потенциальные динамические сдвиги фотошаблона и пластины. Она контролирует температуру держателя пластины во время всего процесса и стабилизирует температуру шаблона.

Эффект сбегания-разбегания с шаблонами из натронной извести при высоких дозах экспонирующего излучения.

(MA200 Gen3: 5000 мДж, зазор экспонирования 50 мкм)







ЭКСПОНИРУЮЩАЯ ОПТИКА. ПРЕВОСХОДНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ


MA200 gen3 ЭКСПОНИРУЮЩАЯ ОПТИКА.png


Будучи системой литографии всей поверхности пластины, MA200 Gen3 может провести экспонирование пластины диаметром 200 мм за один шаг, в то время как другие способы литографии, такие как пошаговая, как правило, требуют от 50 шагов на одну пластину. Более высокая пропускная способность и низкие первоначальные затраты означают низкие эксплуатационные расходы, что делает эту систему привлекательным решением для широкого ряда литографических процессов.


ЭКСПОНИРУЮЩАЯ ОПТИКА С УМЕНЬШЕНИЕМ ДИФРАКЦИИ


Данная оптика предназначена для компенсации эффектов дифракции в литографии с контактом и с зазором. Вместо использования плоской волны как в других системах литографии с зазором она обеспечивает угловой спектр плоских световых волн для уменьшения эффектов дифракции. Выбор правильного углового спектра улучшает разрешение структуры в резисте.


HR и LGO


Оптика для литографии с большим зазором (LGO) предназначена для достижения высокого разрешения при экспонировании с большим расстояние от шаблона до пластины с определенной настройкой угла освещения. Как правило, такая оптика используется при работе с подложками с плотной топографией или толстопленочным резистом. Оптика линейки HR обеспечивают наилучший результат при экспонировании с маленьким зазором или контактном экспонировании. Оптика высокого разрешения позволяют добиться разрешения в 3 мкм при зазоре экспонирования 20 мкм и субмикронного разрешения при контактном экспонировании. В процессах, где требуется высокая доза экспонирования, с пластинами диаметром 150 мм оптика W150 HR сверхвысокой интенсивности позволяет добиться более высокой пропускной способности.


ЭКСПОНИРУЮЩАЯ ОПТИКА MO


В основе этой оптики лежит уникальные микролинзы высокого качества в сочетании со сменной пластиной фильтра (IFP). Она обеспечивает превосходную равномерность освещения и позволяют легко переключаться между классической оптикой компании SUSS, оптикой HR и LGO. Экспонирующая оптика MO Exposure Optics позволяет получить освещение в соответствии с особыми требования благодаря модификации пластины IFP и использовать улучшенные технологии литографии, такие как оптимизация источник-шаблон (SMO) или оптическая коррекция зазора (OPC).


MA200 Gen3.png


MA200 Gen3 Блок замены фильтров.png


Блок замены фильтров


Опционно, установку совмещения и экспонирования MA200 Gen3 можно оборудовать блоком автоматической замены фильтров на макс. 4 фильтра, которые необходимо выбрать через рецепт процесса. Это дает возможность исключить риск ошибок оператора, что улучшает пропускную способность.





MA200 gen3 Моделирующее ПО LAB.png

Моделирующее ПО LAB

Версия моделирующего ПО компании SUSS объединяет все оптические решения SUSS MicroTec, такие как экспонирующую оптику HR, LGO и MO, включая их индивидуальные характеристики. ПО уменьшает необходимость в оптимизации экспериментальной расстановки и упрощает разработку процесса.

Моделирующее ПО LAB вместе с оптикой MO является передовой технологией для оптимизации шаблон-источник в установке совмещения.
MA200 gen3 Оптимизация источник-шаблон.png

Оптимизация источник-шаблон

Оптимизация источник-шаблон - это концепция освещения, которая обеспечивает наилучшую возможную равномерность с возможностью поддержки решений, адаптированным к условиям меток. Это помогает уменьшить ошибки, возникающие в изображении из-за дифракции, или ошибки процесса.

Структуры до и после оптимизации процесса


Двусторонний подход адаптации пластин фильтров и структуры фотошаблона помогает увеличить функциональность процессов экспонирования с зазором и контактом.


MA200 Gen3 ЭРГОНОМИЧНОСТЬ.png

ЭРГОНОМИЧНОСТЬ. ДЛЯ БОЛЬШЕГО УДОБСТВА ЭКСПЛУАТАЦИИ


  • Загрузочный порт непрерывной работы
  • Настраиваемый интерфейс монитора /входов/выходов
  • Прямой вид экспонирующего столика


Система MA200 Gen3 обеспечивает пользователя улучшенными эргономическими характеристиками, которые позволяют сократить время обучения и увеличить производительность.

Загрузочный порт непрерывной работы обеспечивает эргономичное перемещение кассет и исключает необходимость остановки машины для их замены. Это снижает риск повреждения пластин в результате неправильного обращения.

Настраиваемый интерфейс монитора/вводов/выводов облегчает работу с установкой даже при большой загруженности. Прямой вид на экспонирующий столик упрощает контроль во время определения процесса.


СИСТЕМА КОНТРОЛЯ СРЕДЫ


Контроль частиц, температуры и влажности имеют положительное влияние на стабильность процесса и качество продукта, что также сказывается на производительности и экономичности. Для создания такой контролируемой среды корпус установки MA200 Gen3 можно оборудовать системой контроля среды.



MA200 Gen3 ПЕРЕМЕЩЕНИЕ ПЛАСТИН.png

ПЕРЕМЕЩЕНИЕ ПЛАСТИН. УМНЫЕ РЕШЕНИЯ


Перемещение пластин – ключ к автоматизации процесса. В реальной производственной среде с изменяющимися условиями подложек только надежные устройства транспортировки могут обеспечить высокую пропускную способность.  Технологии перемещения зависят от конкретного случая применения.



Возможности стандартной системы перемещения пластин установки совмещения и экспонирования MA200 Gen3 охватывают как стандартные, так и нестандартные материалы, такие как пластины с деформацией плоскости размером до 300 мкм, а также материалы толщиной 250 мкм.

Для критически важных применений установка MA200 Gen3 предлагает индивидуальные решения систем перемещения и инструменты для быстрой смены пластин для обеспечения максимальной гибкости производственных процессов.

Перемещение тонких пластин


Хрупкие подложки, такие как ультратонкие пластины, которые используются в области 3D-интеграции, МЭМС и силовых полупроводниковых приборов. Специальный вакуумный держатель подходит для пластин тоньше 250 мкм (до 50 мкм – толщина мембраны пластин Taiko).


  
Перемещение искривленных пластин

Для перемещения искривленных пластин доступны специальные решения. Технологии увеличения толщины пластин перед обработкой зависят от природы их деформации.  
    Обработка кромки


Чувствительная система поддержки защищает целостность пластин, и особенно необходима при работе с двусторонними структурами как в МЭМС.

MA200 Gen3 опционно может быть оборудована системой обработки кромки – от транспортировки и предварительного совмещения до экспонирования.

ЭКСПОНИРОВАНИЕ ПОД УГЛОМ. УНИКАЛЬНЫЙ ИНСТРУМЕНТ ДЛЯ ВЕРТИКАЛЬНЫХ СТЕНОК


MA200 Gen3 ЭКСПОНИРОВАНИЕ ПОД УГЛОМ.pngЭкспонирование боковых стенок вертикальных структур является сложной задачей, особенно для процессов с позитивным фоторезистом. Экспонирование относительно толстой вертикальной боковой стенки приводит или к недодержке боковой стенки или передержке топографии. Система экспонирования под углом установки MA200 Gen3 освещает подложки под определенным углом (45 или 60).

MA200 Gen3 Резистный шаблон для нанесения проводящего следа на вертикальную боковую стенку.png
Резистный шаблон для нанесения проводящего следа на вертикальную боковую стенку


Сравнение стандартного перпендикулярного экспонирования и экспонирования под наклоном

Сравнение стандартного перпендикулярного экспонирования и экспонирования под наклоном1.png

ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЕ ОПЦИИ. ГИБКОСТЬ ДЛЯ ВЫПОЛНЕНИЯ ЛЮБОЙ ЗАДАЧИ


Требования к технологиям и оборудованию различны для каждого процесса. Благодаря модульной системе и специальному дополнительному оборудованию установка совмещения и экспонирования MA200 Gen3 является решением для целого ряда применений.


MA200 Gen3.png

КОМПЛЕКСНОЕ УПРАВЛЕНИЕ ШАБЛОНОМ

Автоматизированная система для управления шаблоном включает в себя идентификацию, загрузку, разгрузку и хранение до 20 шаблонов, что значительно экономит время процесса.


СВЕРХЧИСТАЯ ОБРАБОТКА ПЛАСТИН

Вводы/выводы SMIF-интерфейса и фильтровентиляционные модули поддерживают высокий уровень чистоты в процессе производства. Порт переноса пластин выполняется отдельно от производственного оборудования.

MA200 Gen3.png


КЛАСТЕРНАЯ ИНТЕГРАЦИЯ

Установку MA200 Gen3 можно совместить с модулями нанесения/задубливания/проявления для уменьшения количества шагов или вмешательства оператора.


SECS-II/GEM

Установка MA200 Gen3 предназначена для интеграции в автоматизированную систему, совместимую со стандартами интерфейса SECS- II/GEM. Детали связи зависят от базового ПО компании SUSS MicroTec.


MA200 Gen3.png

ИНТЕГРИРОВАННЫЙ МОДУЛЬ ЗАДУБЛИВАНИЯ

Интегрированный термостолик позволяет провести задубливание после экспонирования для оптимизированной обработки химически усиленных фоторезистов, которые используются при интеграции или формировании столбиковых выводов.






КОНФИГУРАЦИИ


Suss MA200 Gen3 КОНФИГУРАЦИИ (2).png

СИСТЕМА ЭКСПОНИРОВАНИЯ
Разрешение HR 3 мкм (зазор 20 мкм) LGO
7 мкм (зазор 100 мкм)
10 мкм (зазор 150 мкм)
Точность дозы
<1%
Режимы экспонирования
вакуумный контакт, жесткий контакт, мягкий контакт, экспонирование с зазором, сплошное экспонирование

ИНТЕНСИВНОСТЬ/РАВНОМЕРНОСТЬ*

Тип оптики (1000 Вт) Suss уф-оптометр
Интенсивность
Равномерность
UV400 HR W200 365 нм
36 мВт/см2
Широкий спектр 69 мВт/см2 < 3,5 %
UV400 LGO W200 365 нм
  16 мВт/см2
Широкий спектр   33 мВт/см2 < 3,5 %
UV400 MO HR-IFP W200 365 нм
  31 мВт/см2
Широкий спектр   60 мВт/см2 < 2,5 %
UV400 HR W150 365 нм
  75 мВт/см2
Широкий спектр   170 мВт/см2 < 3,5 %
СИСТЕМА СОВМЕЩЕНИЯ
Точность совмещения 0.5 мкм / 3 σ (TSA, AutoAL, DirectAlign)
Распознавание рисунка Cognex (CNL, PatMax)
Компенсация выброса держатель ThermAlign (опционно)
Совмещение в светлом поле 1 мкм
Точность предварительного совм. < 50 мкм
ПЕРЕМЕЩЕНИЕ ПЛАСТИНЫ
Размер пластины 2" -200 мм, круглая или квадратная
Допустимое искривление пластины 1 мм
Перфорированные пластины Да
Пластины на направляющей Да
Тонкие пластины без направляющ. Толщина: до 120 мкм (200 мм)
Макс. искривление: 5 – 6 мм
Пропускная способность > 160 пластин/час FM; > 130 пластин/час AutoAL
Преобразование размера пластины < 5 минут
КОММУНИКАЦИИ
Вакуум < 0.2 МПа (абсолютное)
Азот / 1500 Вт LH 0.2 – 0.3 MPa, 2.4 m³ / h
Питание/ 1500 Вт LH Voltage: 400 VA, 3 Phase Y
Power: 2800 VA, 50 Hz
Сжатый воздух 1500 LH 0.2 – 0.3 MPa, 2.4 m³ / h
Надежность E-MTBF 500 h
MTTR 4 h
Полезное время > 95 %
ГАБАРИТЫ (стандартная конфигурация)
Высота x Ширина x Глубина 2000 мм x 1509 мм x 1405 мм
Вес прим. 1100 кг

*стандартные величины для HBO-лампы мощностью 1000 Вт, измеренные с помощью УФ-оптометра компании SUSS. Допустимые величины зависят от мощности лампы, типа лампы, срока службы лампы и т.д.
Для получения информации по установке оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Наверх