Мы на карте
Для получения информации оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Оборудование Компоненты Сервис
Москва, ул. Киевская, д.7

Ручная установка совмещения и экспонирования SUSS MJB4

Германия
  • картинка
  • картинка
  • картинка
  • картинка
  • картинка
  • картинка
  • картинка
  • картинка
  • картинка
картинкакартинкакартинкакартинкакартинкакартинкакартинкакартинкакартинка

Ручная установка совмещения и экспонирования для контактной литографии базового уровня. Обработка пластин до 100 мм

Производитель: SUSS MicroTec
Страна производитель: Германия

Основные возможности:

  • Экспонирование высокого разрешения – до 0,5 микрон
  • Размер обработки пластин и подложек - до 100 мм диаметром (пластины) и до 100х100 мм (подложки).
  • Специальные держатели для кусков пластин, А3-Б5, толстых подложек, гибридных схем и ВЧ
  • Высокоточная юстировка на плоскости и манипулятора микроскопа
  • Возможность конфигураций оптики интенсивной УФ и экспозиций с длиной волны до 80 мВт/см2
  • Минимальные затраты на обучение операторов установки
  • Продуманная эргономика
  • Графический интерфейс пользователя управляет функциями установки со специального экрана, чувствительного к нажатиям
  • Легкий доступ ко всем элементам установки
  • При необходимости устанавливается лазерное оборудование

Инжиниринговые услуги:

Системы виброзащиты оборудования

Подойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта


Качество и инновации


установка совмещения и экспонирования Suss MJB4Установка совмещения MJB4 от компании SUSS MicroTec является идеальной системой для исследовательских институтов, университетов и мелкосерийного производства. Простая в эксплуатации и компактная система MJB4 задает стандарты обработки маленьких пластин/подложек или кусочков и предлагает отличное экономичное и эффективное решение для покупателей с ограниченным бюджетом.

MJB4 обеспечивает надежное высокоточное совмещение и печать высокого разрешения в субмикронном диапазоне и демонстрирует характеристики, не имеющие равных среди аналогичных машин. MJB4 широко используется в производстве МЭМС и оптоэлектроники. Систему можно настроить для наноимпринт-литографии в УФ (UV-NIL) и обработки нестандартных пластин, таких как гибридные ИС, высокочастотные компоненты для хрупких материалов III-V.

Ведущая позиция в отрасли в направлении научных исследований и мелкосерийного производства


Компания SUSS MicroTec сохраняет свою лидирующую позицию на рынке технологий совмещения и экспонирования благодаря инновационным процессам и технологическому совершенству. Система MJB4 является наиболее универсальным и гибким решением среди доступных для небольших лабораторий. MJB4 предлагает индивидуальные решения для перемещения стандартных и нестандартных подложек, таких как хрупкие составные полупроводники, искривленные и просверленные подложки. В качестве дополнительного оборудования доступен широкий выбор держателей пластин и шаблонов, которые легко интегрируются в необходимый процесс.


MJB4 используется для литографии СИДов
Suss MJB4 Микроструйное устройство
Suss MJB4 Пьезо-мотор для МЭМС
MJB4 используется для литографии СИДов. Микроструйное устройство Пьезо-мотор для МЭМС
Suss MJB4 Структуры с крутыми стенками изготовленные в резисте SU8
Suss MJB4 Надежное формирование рисунка в субмикронном диапазоне
Suss MJB4 UV-NIL

Структуры с крутыми стенками, изготовленные в резисте SU8 толщиной от 100 до 200 мкм.

Надежное формирование рисунка в субмикронном диапазоне с оптикой для уменьшения дифракции. Разрешение 0,6 мкм при толщине резиста 0,8 мкм. UV-NIL: 50 нм, 70 нм линии и пробелы, импринтинг с помощью установки MJB4

Микроскопы


Микроскоп с двойным полем

Эффективное и экономичное решение для совмещения небольших пластин/подложек.

Микроскоп с двойным полем и окулярами

Обеспечивает более широкий обзор и одновременное совмещение шаблона и пластины в том числе и по краю.

Видеомикроскоп

Система с окулярами и ПЗС-камерой. В сочетании с микроскопом с двойным полем обеспечивает лучшую точность совмещения с проверкой результата.

Решения MJB4 в области научных исследований


Стремление компании SUSS MicroTec поддерживать разработки в области научных исследований подчеркивает наше желание создавать технологические инновации. Установка совмещения и экспонирования MJB4 является эффективной и экономичной, но в то же время чрезвычайно гибкой и современной системой для области научных исследований и разработок. Она представляет собой прекрасную универсальную платформу для создания новых процессов и технологий.

Простая и быстрая замена


Suss MJB4 габариты основания MJB4 обеспечивает быстрое переключение между различными размерами пластин. В замене нуждаются только держатели пластин и шаблона, к которым оператор имеет легкий доступ. Квалифицированный оператор произведет необходимые действия менее чем за 5 минут.

Компактное основание


В системе MJB4 максимальная функциональность сочетается с минимальными размерами. Благодаря основанию менее 0,5 м2 MJB4 занимает минимум места в чистой комнате.

Простое программное обеспечение


Элегантный интерфейс пользователя на базе сенсорной панели очень прост в освоении и требует минимального обучения оператора.

Методы совмещения


Совмещение в ИК-излучении (IR)


Suss MJB4 Совмещение в ИК-излучении (IR).jpgПозволяет перемещать непроницаемые, но прозрачные для ИК-излучения материалы, такие как GaAs, InP, кремний или адгезивы, которые используются при обработке тонких пластин или в процессах инкапсуляции.

Совмещение сверху (TSA)


Установка MJB4 может быть оборудована системой совмещения сверху с ручным управлением.

Система ИК-совмещения


  • Источник инфракрасного излучения
  • В наличии специальные ИК-держатели
  • Специальные ИК-объективы
  • Видеомикроскопы со сплошным (M500) или двойным полем (M604) для длин волн от 400 до 1200 нм

Система экспонирования


Экспонирующая оптика для уменьшения дифракции


Во всех установках совмещения компании SUSS используется оптика с функцией уменьшения дифракции, которая компенсирует нежелательные эффекты при литографии с микрозазором или в режиме контакта. В установке совмещения фотошаблон облучается не просто планарной волной, а круговым спектром волн для уменьшения порядков дифракции. Оптика для уменьшения дифракции от компании SUSS MicroTec значительно улучшает разрешение и профили боковых стенок. Экспонирующие оптические компоненты доступны для спектральных диапазонов UV400, UV300 и UV250 и могут значительно улучшить разрешение и профили боковых стенок.


СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ РЕШЕНИЯ MJB4 – это система экспонирования всей поверхности пластины, способная обрабатывать пластины и подложки размером до 100 мм, а также кусочки.

Компания SUSS MicroTec предлагает оптимизированные решения для специальных спектральных диапазонов, таких как UV250, UV300 и UV400. Все оптические компоненты обеспечивают равномерность освещения < 3 %.

Suss MJB4 ЭКСПОНИРУЮЩАЯ ОПТИКА ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ ДИФРАКЦИИ Слева - сильные эффекты дифракции от параллельного освещения

Справа - уменьшающая дифракцию оптика компании SUSS.

SUSS MicroTec является единственным поставщиком полупроводникового оборудования, который предлагает оптические системы для уменьшения дифракции.

Комбинированная широкополосная оптика от компании SUSS позволяет легко переключаться между процессами и длинами волн без механических замен. Эта уникальная новая оптика разработана для диапазонов UV250, UV300 и UV400 и предлагает широкополосные спектры при использовании всего лишь одной УФ-лампы.

Экспонирующая оптика SUSS MO Exposure Optics - новый подход в освещении, в основе которого лежат два интегратора Келера, сочетающая в себе максимальную равномерность и гибкость формирования освещения. Сменные фильтры позволяют быстро переключаться между различными типами оптики, что обеспечивает исключительную гибкость обработки.

Оптическая система установки совмещения SUSS MJB4.png

Режимы экспонирования


Установка совмещения и экспонирования MJB4 может работать с несколькими режимами экспонирования:


Мягкий контакт


В режиме мягкого контакта пластина приводится в контакт с фотошаблоном и фиксируется на держателе с помощью вакуума. В этом режиме экспонирования установка MJB4 может достичь разрешения 2.0 мкм.

Жесткий контакт


В этом режиме пластина приводится в прямой контакт с шаблоном, используется избыточное давление азота, чтобы прижать подложку к фотошаблону. В режиме жесткого контакта возможно разрешение в диапазоне 1 микрона.

Вакуумный контакт для высокой точности


В этом режиме во время экспонирования между шаблоном и подложкой создается вакуум. Доступное разрешение - < 0.8 мкм.

Режим мягкого контакта


При работе с хрупкими подложками возможно экспонирование в режиме слабого вакуума. Этот режим уменьшает воздействие вакуума на подложку, что не позволяет добиться такого высокого разрешения, как в режиме мягкого или жесткого контакта.

Экспонирование с микрозазором


Хотя установка MJB4 не считается системой экспонирования с зазором, этот режим позволяет проводить экспонирование с предварительно заданным зазором до 50 мкм после исходного выравнивания шаблона и пластины. Это позволяет уменьшить повреждения шаблона, особенно в случае элементов большего размера.

Разрешение MJB4
Режим экспонирования UV400 UV300 UV250
Вакуумный контакт < 0.8 мкм < 0.6 мкм < 0.5 мкм
Жесткий контакт 1.0 мкм < 1.0 мкм -
Мягкий контакт 2.0 мкм < 2.0 мкм -
Экспонирование с зазором > 3.0 мкм
 

Разрешение, получаемое в резисте AZ 4110 толщиной 1 мкм (UV400, UV300) и UV6 (UV250) соответственно. Доступное разрешение зависит от размера и плоскостности пластины, типа резиста, условий чистой комнаты и, следовательно, будет различным для каждого процесса.

Suss MJB4 Режимы печати.png
Шаблон и пластина/подложка
Размер пластины
1-100 мм/4'' (круглые)
Макс. размер подложки
100 x 100 мм
Мин. размер кусочка
5 x 5 мм
Толщина пластины
до 4 мм
Размер шаблона
стандартно 2'' на 2'' до 5'' на 5'' (SEMI)
Толщина шаблона
до 4.8 мм / 190 мил
Режимы экспонирования
Контакт: мягкий, жестки, вакуумный, мягкий вакуумный
Вакуумный контакт регулируется до 200 мбар абс
Экспонирование с зазором, регулируемый зазор 10-50 мкм
Экспонирование всей поверхности, пошаговое экспонирование
Режимы управления лампы: постоянное питание, постоянная интенсивность
Экспонирующая оптика

Разрешение

Диапазон длины волны UV400: 350-400 нм (g, h, i-линия)
UV300: 280-350 нм
UV250: 240-260 нм
UV250/300/400: 240-450 нм
Источник экспонирования CPC: контроллер постоянного питания для ламп Hg 200 Вт и Hg 350 Вт
CIC 1200: контроллер постоянной интенсивности для ламп Hg 200 Вт, Hg 350 Вт и HgXE 500 Вт (глубокий УФ)
Равномерность ≤ 3%
Режимы совмещения
Точность совмещения сверху (TSA)
< 0.5 мкм (с рекомендуемыми метками)
Точность ИК-совмещения
< 5 мкм (2 мкм при специальных условиях)
Режим совмещения
10-50 мкм
Столик совмещения
Диапазон перемещения X: ± 5 мм
Y: ± 5 мм
θ: ± 5°
Механическое разрешение X, Y: 0.1 мкм
θ: 4 x 10-5°
Микроскоп для совмещения сверху (ТSA)
Диапазон перемещения X: ± 40 мм
Y: + 30 – 50 мм
θ: ± 4° 
Коммуникации
Вакуум < – 0.8 бар < 200 сПа абс
Сжатый воздух 5.5 бар (81 psi)
Азот > 1.5 бар (22 psi)
Требования к питанию
Напряжение AC 230 В ± 10 %
Частота 50 – 60 Гц
Габариты
Ширина x глубина 605 x 810 мм = 0.5 м2
Высота 660 мм
Вес до 130 кг (290 кг с антивибрационной платформой)
Безопасность оператора и эргономика CE-маркировка, остальные по запросу
Уровень давления звука: < 70 дБ A
УФ-излучение (315 – 400 нм): < 0.2 мВт/см

Для получения информации по установке оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Наверх