Мы на карте
Для получения информации оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Оборудование Компоненты Сервис
Москва, ул. Киевская, д.7

Полуавтоматическая установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин MA/BA6 Gen3

Германия
  • картинка
  • картинка
  • картинка
картинкакартинкакартинка

Система MA/BA6 Gen3 является отличным выбором для проведения литографии всей поверхности пластины для процессов в области МЭМС, 3D-интеграции и составных полупроводников

Производитель: SUSS MicroTec
Страна производитель: Германия
Возможность двухэтапной приемки
на заводе производителе

Основные возможности:

  • Оптика высокого разрешения (HR) позволяет формировать структуру с элементами размером менее 0.5 мкм
  • Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
  • Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
  • Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
  • Оптимизированный микроскоп с двойным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
  • Простое переключение в режим совмещения для сращивания
  • Возможна модернизация до 8"

Инжиниринговые услуги:

Системы виброзащиты оборудования

Подойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта

Установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин до 150 мм


MA/BA6 Gen3 представляет собой инновационную установку совмещения, предназначенную для научно-исследовательской деятельности и производства. Она обеспечивает высокую гибкость процессов и предлагает новые характеристики и ключевые компоненты, такие как система управления на базе Windows, автоматическое совмещение или совмещение с подсказками и компенсация погрешности. Установку совмещения можно дополнительно оборудовать системой для импринт литографии (SMILE) для большой площади.

Система MA/BA6 Gen3 является отличным выбором для проведения литографии всей поверхности пластины для процессов в области МЭМС, 3D-интеграции и составных полупроводников.

Решения MA/BA6 GEN3

Характеристики и преимущества
  • Оптика высокого разрешения (HR) позволяет формировать структуру с элементами размером менее 0.5 мкм
  • Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
  • Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
  • Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
  • Оптимизированный микроскоп с двойным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
  • Простое переключение в режим совмещения для сращивания
  • Возможна модернизация до 8"

Опции
  • Фотолитография всей поверхности пластины
  • Совмещение для сращивания: совмещение двух подложек
  • УФ импринтинг: UV-NIL, SCIL, SMILE
  • УФ сращивание
  • Экспонирующая оптика MO

Благодаря способности обрабатывать любые типы пластин и подложек, ручные установки совмещения все чаще используются в производственной среде. Новая установка совмещения и экспонирования MA/BA6 Gen3 отвечает постоянно растущим требованиям более жесткого контроля процесса и высокой производительности. Установка MA/BA6 Gen3 предназначена для быстрой и эффективной разработки новых технологий и изделий. Исследовательские организации выиграют от расширенных возможностей данной машины, поскольку она позволит разрабатывать необходимые процессы на оборудовании, выполненном в соответствии с отраслевыми стандартами. Система позволяет легко и экономично перенести процесс из лаборатории в производство. Возможна модернизация установки MA/BA6 Gen3 до 8".

Интегрированная функциональность


Помимо режима стандартной установки совмещения MA/BA6 Gen3 предлагает целый ряд функций, например нано-импринтинг, совмещение для сращивания и УФ-сращивание с возможностью быстрого переключения между ними.

Расширяем границы технологии


Не имеющая аналогов точность совмещения в сочетании с высоким разрешением и максимальной равномерностью подсветки делают MA/BA6 Gen3 оптимальным выбором для применения в различных областях - от МЭМС, оптоэлектроники и 3D-интеграции до микрооптики и нанотехнологий.


Suss MA BA6 Gen3 Наноимпринт-литография.jpg
  Suss MA BA6 Gen3 МЭМС.jpg

Наноимпринт-литография.

Отверстия шириной 160 нм, расположенные в форме концентрических колец, используются в фотонных кристаллах

  МЭМС. Напечатанные структуры 500 мкм SU8

Шаблон и пластина/подложка
Размер пластины
1'' - 150 мм
Макс. размер подложки
150 х 150 мм
Мин. фрагментов
5 х 5 мм
Толщина пластины
макс. 10 мм
Размер шаблона
стандарт 2'' х 2''
до 7'' х 7'' (SEMI)
Режимы экспонирования
Контакт
Мягкий, плотный, вакуум
Зазор
Зазор экспонирования 1-300 мм
Точность настройки зазора
1 мкм
Вакуумный контакт
Регулируется до - 80 кПа
Режимы
Постоянное питание, постоянная доза
Опции
Сплошное, ступенчатое экспонирование
Экспонирующая оптика
Разрешение*
Режим экспонирования uV400
uV300 uV250
Вакуумный контакт
1.5 мкм 0.5 мкм 0.4 мкм
Плотный контакт 2.0 мкм 1.0 мкм -
Мягкий контакт 3.0 мкм 2.0 мкм -
Зазор (20 мкм) 3.5 мкм 2.5 мкм -
Диапазон длин волн UV400 350-450 нм
UV300 280-350 нм
UV250 240-260 нм
Источник экспонирования
Лампы Hg 350-1000 Вт (опционно 5000 Вт)
Равномерность интенсивности
< 3.5% (150 мм)
Методы совмещения
Совмещение сверху (TSA)
Точность < 0.5 мкм (совмещение с подсказками или рекомендованными метками пластин)
Совмещение снизу (BSA)
точность < 1.0 мкм
Диапазон фокусировки при TSA 1– 400 мкм (AL400 – фокус с приводом и захват изображения)
Точность установки сращивания 2 мкм
Станина совмещения
Диапазон перемещения MA
X: ± 5 мм
Y: ± 5 мм
ϴ: ± 5 °
Диапазон перемещения BA
X: ± 3 мм
Y: ± 3 мм
ϴ: ± 3°
Разрешение
0.1 мкм
Микроскоп TSA
Диапазон перемещения
X: 33 – 202 мм
Y: +18 –100 мм
ϴ: ± 5°
Микроскоп BSA
Диапазон перемещения
X: 20 – 210 мм
Y: ± 22 мм
Графический интерфейс пользователя
Windows XP  
Неограниченное хранилище рецептов  
Удаленный доступ
Коммуникации
Вакуум <– 0.8 кПа
Сжатый воздух
0.6 - 0.8 МПа
Азот
> 0.5 МПа
Требования к питанию
Питание напряжение AC 230 В ± 10 %
частота 50 – 60 Гц
Размеры
Ширина х глубина 1350 x 1000 мм = 1.35 м2
Высота 1803 мм
Вес ~ 750 кг
Безопасность оператора и эргономичность
Сертификат SEMI S2
Сертификат SEMI S8  
ЭМС  
Соответствует стандартам СЕ

* Доступное разрешение зависит от качества контакта, типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться в зависимости от процесса (толщина резиста 1 мкм, линии и пробелы)

Равномерность УФ-излучения
  Средняя интенсивность Размер пластины
    6" < 4"
i-линия* 40 мВт/см2 3.0 % 2.0 % 
Широкий спектр** 60 мВт/см2 3.0 % 2.0 %

* измерено щупом 365 нм

** измерено широкополосным зондом


Оборудование для полного цикла производства
Suss LabSpin 6/8

Suss LabSpin 6/8

Эти системы разработаны специально для ...

Suss SB6/8 Gen2

Suss SB6/8 Gen2

Высокоточный бондер для пластин 6/8 дюймов для ...

Suss RCD8

Suss RCD8

Платформа нанесения и проявления резиста RCD8 ...

Suss AS 8/12

Suss AS 8/12

Уникальная система нанесения ...

Suss XB8

Suss XB8

Высокоточный универсальный бондер для пластин 4, ...

Для получения информации по установке оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Наверх