Мы на карте
Для получения информации оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Оборудование Компоненты Сервис
Москва, ул. Киевская, д.7

Установка совмещения и экспонирования Suss MA/BA8 Gen3

Германия
  • картинка
  • картинка
  • картинка
картинкакартинкакартинка

SUSS MA/BA8 Gen3 разработана для выполнения литографических процессов, поддерживает такие передовые процессы как экспонирование всего поля пластины, микро- и наноимпринт литография, предварительное совмещение для сращивания, сращивание с использованием УФ, выборочная активация плазмы, а также импринтинг и сборка микролинзы на уровне пластины.

Производитель: SUSS MicroTec
Страна производитель: Германия
Возможность двухэтапной приемки
на заводе производителе

Основные возможности:

  • Оптика высокого разрешения позволяет формировать рисунок структур размером менее 0,5 мкм
  • Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
  • Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
  • Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
  • Оптимизированный микроскоп с расщепленным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
  • Простое переключение в режим совмещения для сращивания
  • Комплект оборудования для модернизации (микро- и наноимпринт-литография)
  • Комплект оборудования для импринтинга микролинзы
  • Комплект инструментов для плазменного травления
  • Возможность использования инструментов с установок MA/BA6 и MA/BA8

Инжиниринговые услуги:

Системы виброзащиты оборудования

Подойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта

Навигация по описанию:
Целевые рынки
Оптические решения
Методы совмещения
Режимы совмещения
Совмещение для сращивания


Инновационное совершенство


Третье поколение установок совмещения и экспонирования пластин MA/BA8 представляет собой новейшую разработку платформы совмещения с ручным управлением от компании SUSS MicroTec для технического исследования и производства. Установка MA/BA8 Gen3 является новой вехой в литографии сплошного поля для рынков МЭМС, 3-D интеграции и сложных полупроводников. Кроме того, она поддерживает такие передовые процессы как микро- и наноимпринт литография, предварительное совмещение для сращивания, сращивание с использованием УФ, выборочная активация плазмы, а также импринтинг и сборка микролинзы на уровне пластины.


Благодаря способности обрабатывать любые типы пластин и подложек, ручные установки совмещения все чаще используются в производственной среде. Новая установка MA/BA8 Gen3 SUSS MicroTec отвечает постоянно растущим требованиям более жесткого контроля процесса и высокой производительности.

Расширяя границы технологий


Не имеющая аналогов точность совмещения в сочетании с высоким разрешением и максимальной равномерностью света превращает систему MA/BA8 Gen3 в универсальное устройство для целого ряда применений, начиная от МЭМС, оптоэлектроники и 3D-интеграции, до микрооптики и нанотехнологий.


Suss MA BA8 Gen3 МЭМС.jpg
Suss MA BA8 Gen3 UV LIGA.jpg
Suss MA BA8 Gen3 CMOS.jpg
МЭМС

Напечатано в структурах
500 мкм SU8
UV LIGA

Микромеханические компоненты часов
CMOS

корпусирование датчика изображений, TSV - литография через верхнее и нижнее отверстие
Suss MA BA8 Gen3 SUSS UV400 HR .jpg
Suss MA BA8 Gen3 Технология CSP на уровне пластины.jpg
Suss MA BA8 Gen3 Импринт-литография микролинзы (SMILE) Микролинзовая решетка для технологии WLC.jpg
Субмикронное формирование рисунка, толщина резиста
350 нм, линии 400 нм AZ6612

Напечатано с помощью оптики высокого разрешения SUSS UV400 HR
Технология CSP на уровне пластины

Слой перераспределения
Импринт-литография микролинзы (SMILE) Микролинзовая решетка для технологии WLC (размеры линзы:

толщина 30 мкм, диаметр
1600 мкм)
Suss MA BA8 Gen3 Наноимпринт-литография с УФ-излучением.jpg
Suss MA BA8 Gen3 Импринт-литография по большой площади (SCIL) с мягким штампом .jpg
Suss MA BA8 Gen3 Выборочная активация плазмы на пластине 4 дюйма.jpg
Наноимпринт литография с УФ-излучением

Отверстия шириной 160 нм, расположенные в концентрических кольцах, которые используются для фотонных кристаллов.
Импринт-литография по большой площади (SCIL) с мягким штампом

Выбор

Выборочная активация плазмы на пластине 4"


ОБЪЕДИНЯЕМ ПРОМЫШЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО


Suss MA BA8 Gen 3.png

Инновационность, высокая производительность, экономичность, эффективность и краткосрочная реализация являются ключевыми двигателями разработки и анализа изделий в начале 21 века.

MA/BA8 Gen3 от компании SUSS MicroTec является инновационным, современным решением в области ручных установок совмещения, которое предлагает высокую гибкость процессов в сочетании с субмикронным совмещением и оптимизированной литографией с толстопленочным резистом, микро- и наноимпринтингом с использованием УФ-засветки, УФ-сращиванием и улучшенным совмещение для сращивания.

Созданная для научно-исследовательских целей и производственной среды, установка MA/BA8 Gen3 позволяет проводить исследования с учетом всех производственных факторов. Она позволяет легко и экономично перенести процесс из лаборатории на производство. Ключевые компоненты, такие как оптика, система совмещения и ГИП полностью согласуются с платформой производственной установки совмещения компании SUSS.

ПРОМЫШЛЕННОСТИ НЕОБХОДИМО ИССЛЕДОВАНИЕ – ИССЛЕДОВАНИЮ НЕОБХОДИМО ОБОРУДОВАНИЕ


Качество нашей жизни в будущем зависит от инвестиций, которые мы вкладываем в исследования сегодня. Чтобы идти в ногу со временем, разрабатываются инновационные технологии и изделия, которые позже будут запущены в крупносерийное производство. Благодаря высокоэффективной технологии ручные установки совмещения от компании SUSS MicroTec способствуют исследованию и развитию, таким образом помогая нам создать новое будущее.

Полностью автоматические установки совмещения от компании SUSS MicroTec на данный момент используются на всех основных производствах МЭМС и составных полупроводников, где основными требованиями являются высокая производительность и экономичность производства.

Целевые рынки


Suss MA BA6.jpg

МЭМС

MA/BA8 Gen3 с экспонирующей оптикой высокой интенсивности является чрезвычайно эффективным средством для применений в области МЭМС с толстопленочным фоторезистом. Инновационные свойства или комплекты инструментов, такие как система совмещения в ИК-излучении, совмещение для сращивания, выборочная активация плазмы или возможность работы с маленькими подложками делают установку MA/BA8 Gen3 высокоэффективным инструментом для разработки и мелкосерийного производства МЭМС-устройств.
Suss MA BA6.jpg

ИССЛЕДОВАНИЕ

Быстрая смена между опциями, такими как литография для тонко- и толстопленочного фоторезиста, микро- и наноимпринтинг, УФ-сращивание, совмещение для сращивания, прямое сращивание и выборочная плазменная обработка, делает систему MA/BA8 Gen3 идеальным инструментом для целого ряда применений в области исследований и разработок.

Систему можно оснастить в зависимости от необходимости и превратить в недорогое устройство с ручным управлением для базовых операций или высокоавтоматизированную платформу с автоматическим совмещением для промышленных исследований.


Suss MA BA6.jpg

Импринтинг


Благодаря различным возможностям микро- и наноимпринтинга система MA/BA8 Gen3 позволяет получить необходимое решение с высоким или низким разрешением, на большой или маленько площади. Опция UV-NIL позволит выполнить печать с максимальным разрешением на маленьких подложках.

Для импринтинга по всей площади пластин размером до 8 дюймов или при использовании технологии SMILE, микроимпринтинг с помощью мягких штампов или уникальная технология наноимпринтинга SCIL для получения максимального разрешения, система MA/BA8 Gen3 является оптимальным выбором.


Suss MA BA8 Gen 3.jpg
    Suss MA BA8 Gen 3.jpg
   Suss MA BA8 Gen 3.jpg
   Suss MA BA8 Gen 3.jpg

ВЫСОКОИНТЕГРИРОВАННЫЙ ФУНКЦИОНАЛ


MA/BA8 Gen3 представляет собой универсальную систему для научно-исследовательской деятельности и производства с участием оператора. Кроме того, ее легко модернизировать с помощью дополнительных технологий.


Система MA/BA8 Gen3 предлагает до пяти решений в одном устройстве:
  • Фотолитография сплошного поля
  • Совмещение для сращивания: совмещение двух подложек для последующего сращивания
  • УФ-импринтинг: UV-NIL, SCIL и SMILE
  • УФ-сращивание: сборка на уровне пластины устройств и УФ-отверждаемого материала
  • Выборочная активация плазмы для частичной активации поверхности и подготовки сращивания

ИДЕАЛЬНОЕ СОВМЕЩЕНИЕ


Высокоточное совмещение играет значительную роль на протяжении всего процесса изготовления МЭМС или полупроводника. Система MA/BA8 Gen3 предлагает ряд различных систем совмещения, отвечающих требованиям конкретного процесса. В зависимости от режима и условий совмещения можно добиться точности до 0, 25 мкм (при специальных условиях).

Разрешение MA/BA8 GeN3

Режим экспонирования UV400 UV300 UV250 
Вакуумный контакт 1.5 мкм 0.5 мкм 0.4 мкм
Жесткий контакт 2.0 мкм 1.0 мкм -
Мягкий контакт 3.0 мкм 2.0мкм -
Зазор (20 мкм) 3.5 мкм 2.5мкм -
Доступное разрешение зависит от типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться для различных процессов.

Равномерность УФ-излучения

  Средняя
интенсивность
Размер пластины
    8" 6" < 4"
i-линия* 40 мВт/cм2 3.5 % 3.0 % 2.0 %
Широкий спектр** 60 мВт /cм2 3.5 % 3.0 % 2.0 %
* измерено щупом 365 нм
** измерено широкополосным зондом

Suss MA BA8 Gen3 Оптика.jpg


ОПТИЧЕСКИЕ РЕШЕНИЯ


MA/BA8 Gen3 - установка экспонирования полного поля, способная экспонировать пластины размером от кусочков до 200 мм. Компания SUSS MicroTec предлагает оптимизированные решения для различных длин волн UV250, UV300 и UV400, чтобы удовлетворить различным требованиям к разрешению. Все оптические элементы обеспечивают оптимальную равномерность освещения 3.5%, в зависимости от применения пользователь может выбирать между оптическими компонентами высокого разрешения (HR) и оптикой для экспонирования с большим зазором (LGO). Элементы высокого разрешения оптимизированы использования с малыми зазорами или режимом контакта для достижения максимального разрешения. Оптические компоненты SUSS LGO предназначены для больших зазоров и используются, как правило, для процессов плотной топографией (3D) и толстопленочным фоторезистом.

СТАНДАРТНАЯ ОПТИКА ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ ДИФРАКЦИИ


Все установки совмещения компании SUSS можно оборудовать рядом оптических конфигураций, предназначенных для компенсации эффектов дифракции. Установки совмещения от SUSS проводят экспонирование не только одним параллельным лучом, но и несколькими немного наклонными лучами для уменьшения пиковой интенсивности изображений вторичной дифракции, вызванных интерференционными эффектами.

Оптические компоненты для уменьшения дифракции от компании SUSS MicroTec значительно улучшают разрешение и профили боковых стенок.

Suss MA BA8 Gen3 оптика.png


Suss MA BA8 Gen3 микроскоп.jpg  Suss MA BA8 Gen3 оптика.jpg  Suss MA BA8 Gen3 микроскоп.jpg


Опции TSA микроскопов


Микроскоп с окулярами с двойным полем

Предлагает более широкое поле обзора, более глубокий фокус и четкое изображение.

Видеомикроскоп

Микроскоп с ПЗС-камерами отображает совмещение на ЖК-экране для простой и быстрой работы.

Видеомикроскоп/ с двойным полем

Система с окулярами и ПЗС-камерой. Сочетает преимущества обоих микроскопов в одной системе. Микроскоп с двойным полем предлагает оператору более широкое поле обзора, более глубокий фокус и четкое изображение.

Методы совмещения


Совмещение сверху (ТSA)

MA/BA8 Gen3 можно оборудовать системой совмещения сверху с ручным или механизированным управлением. Она позволяет добиться точности до 0, 25 мкм (при специальных условиях) с автоматическим или управляемым совмещением.

Совмещение снизу (BSA)

Позволяет сформировать рисунок на верхней стороне пластины, в то время как элементы точно совмещены с нижней стороны. Система BSA установки MA/BA8 Gen3 позволяет добиться точности совмещения < 1 мкм.


ИК-совмещение (IR)

позволяет работать со светонепроницаемыми, но прозрачными для ИК-света материалами, такими как GaAs, InP, кремний или адгезивы. Они используются при работе с тонкими пластинами или при инкапсуляции.


Режимы совмещения


Ручное совмещение

основано на использовании ручного или механизированного столика, которым можно управлять с помощью винтов микрометра или джойстика.


Suss MA BA8 Gen3.jpg

Автоматическое совмещение

основано на использовании моторизованного столика. Система COGNEX® автоматически распознает расположение меток пластины и контролирует перемещение столика. При использовании с функцией DirectAlign® можно добиться точности совмещения 0, 25 мкм. Автоматическое совмещение позволяет получить максимальную воспроизводимость результатов процесса в сочетании с оптимизированной пропускной способностью и минимальным вмешательством оператора.


Совмещение с подсказками

новейшая разработка полуавтоматического совмещения с участием оператора. Во время ручного совмещения система COGNEX® с функцией распознавания рисунка постоянно измеряет полученную точность и сообщает ее оператору. Благодаря субпиксельному разрешению система обеспечивает максимальную точность совмещения, исключает ошибки и максимально увеличивает производительность.


Совмещение для сращивания


Система MA/BA8 Gen3 может быть настроена как сочетание установки совмещения для экспонирования и сращивания и только как установка совмещения для последующего сращивания. Система BA8 Gen3 совмещает и фиксирует пластины, чтобы сохранить их положение во время переноса материала в установку сращивания. Инновационная система отвечает требованиям потребителя и отношении высокой точности, гибкости и воспроизводимости, а также невысокой стоимости эксплуатации. В случае с процессами прямого сращивания пластины можно также предварительно срастить в установке совмещения. Для случаев с низкотемпературным прямым сращиванием BA8 Gen3 можно дополнительно оснастить комплектов инструментов для активации плазмы (SELECT).

Устойчивый столик системы BA8 Gen3 в сочетании с опциями автоматического совмещения обеспечивает надежное и точное совмещение пластин. Проверенная и запатентованная система компенсации клиновидной погрешности компании SUSS MicroTec гарантирует максимальную возможную плоскостность между пластинами.

Система BA8 Gen3 может справиться даже с наиболее сложными процессами совмещения в области производства МЭМС и СИД, а также 3D-интеграции.

Suss MA BA8 Gen3 Совмещение для сращивания.jpg
Шаблон и пластина/подложка  
Размер пластины 1"- 200мм
Макс. размер подложки 200 x 200мм
Мин. размер кусочков 5 x 5мм
Толщина пластины макс. 10мм
Размер шаблона Стандартно 2" x 2"
До 9" x 9" (SEMI)
Режимы экспонирования
Контакт Мягкий, жесткий, вакуумный
Зазор Зазор экспонирования 1– 300 мм
Точность настройки зазора 1 мкм
Вакуумный контакт Регулируется до -80 кПа
Режимы Постоянное питание, пост. доза
Опции Экспонирование по всему полю, ступенчатое экспонирование
Экспонирующая оптика
Разрешение См. стр. 6
Диапазон длины волны UV400 350–450 нм
UV300 280–350 нм
UV250 240–260 нм
Источник экспонирования Hg –лампы 350–1000Вт
(опционно 5000Вт)
Равномерность интенсивности < 3.5 % (200mm)
Методы совмещения
Совмещение сверху (TSA) точность < 0.5 мкм (совмещ. с подсказками и рекомендуемые SUSS мишени пластин)
Совмещение сверху (BSA) точность < 1.0 мкм
Диапазон фокуса TSA 1– 400 мкм (AL400 – моторизован. фокус представление изображения)
Точность, установка сращивания 2 мкм
Столик
Диапазон перемещений MA X: ± 5 мм
Y: ± 5 мм
θ: ± 5°
Диапазон перемещений BA X: ± 3 мм
Y: ± 3 мм
θ: ± 3°
Разрешение 0.1 мкм
Микроскоп TSA
Диапазон перемещения X: 33 – 202 мм
Y: +18, –100 мм
θ: ± 5°
Микроскоп BSA
Диапазон перемещения X: 20 – 210 мм
Y: ±22 мм
Фокус: 6 мм
ГИП
Windows XP
Неограниченное хранение рецептов
Удаленный доступ
Коммуникации
Вакуум < – 0.8 кПа
Сжатый воздух 0.6 - 0.8 МПа
Азот > 0.5 МПа
Требования к питанию
Питание напряжение AC 230 В ±10 %
частота 50–60 Гц
Габариты
Ширина x Глубина 1350 x 1000 мм = 1.35 м2
Высота 1803 мм
Вес ~ 750 кг
Безопасность оператора и эргономичность
Сертификат SEMI S2
Сертификат SEMI S8
Электромагнитная совместимость
Соответствует стандартам CE

Оборудование для полного цикла производства
Suss SB6/8 Gen2

Suss SB6/8 Gen2

Высокоточный бондер для пластин 6/8 дюймов для ...

SUSS ACS200 Gen3

SUSS ACS200 Gen3

Обеспечивает полный цикл процессов ...

Suss RCD8

Suss RCD8

Платформа нанесения и проявления резиста RCD8 ...

Suss XB8

Suss XB8

Высокоточный универсальный бондер для пластин 4, ...

Suss LabSpin 6/8

Suss LabSpin 6/8

Эти системы разработаны специально для ...

Idonus WBI

Idonus WBI

Установка инспекции пластин в ИК-свете WBI ...

Idonus ИК микроскоп

Idonus ИК микроскоп

ИК Микроскоп оснащен объективом с большой ...



Спасибо!
Мы направили вам на электронный адрес
подробное техническое описание оборудования suss ma-ba8 gen3


Получить брошюру на почту
Оставьте свой электронный адрес и мы вышлем вам
подробное техническое описание оборудования suss ma-ba8 gen3
×
Для получения информации по установке оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Наверх