Установка плазмохимического травления и осаждения Corial 210D

Corial 210D – низкотемпературная установка плазмохимического осаждения диэлектриков (Si3N4 и SiO2) и травления в индуктивно связанной плазме на пластинах до 200 мм. Система осуществляет осаждение при температурах подложки от 20 до 200C. Оснащена шлюзом.

Преимущества системы осаждения диэлектриков и травления в индуктивно связанной плазме: Уникальный дизайн «газового душа» SiH4 (запатентовано) исимметричная откачка позволяют обеспечивать отличную равномерность наносимых пленок. Возможность совмещать в одной камере  процессы плазмохимического травления и осаждения (условие – плазменная очистка реактора и изменение композиции газового душа). Поддержка температуры пластин при процессе благодаря охлаждению обратной стороны гелием. РЧ-смещение, которое позволяет контролировать напряженность осажденных пленок. Детектор окончания процесса (устанавливается опционально) полностью интегрирован в программное обеспечение и механику системы. Удаленный контроль системы через Интернет через VPN. Брандмауэр включен в поставку системы. Такая система позволяет проводить поддержку пользователей без задержек.

Описание плазмохимической установки травления и осаждения Corial 210D

ICP-CVD система осаждения диэлектриков с ручной загрузкой и шлюзом. Контролируется компьютером. Обеспечивает быстрое осаждение SiO2, Si3N4 на пластинах до 200 мм при контролируемой температуре ниже 100С. Если укомплектована CCD -камерой, то обеспечивается автоматическая многошаговость.

Включает следующие части:

Источник индуктивно связанной плазмы, использующий геликоидальную антенну, расположенную вокруг кварцевой трубы диаметром 275 мм. Плазма инициируется РЧ-генератором, работающем не частоте 2 МГц. Мощность варьируется от 50-1000 Вт, так как система имеет улучшенную систему контроля то этот источник предоставляет следующие преимущества:

• Высокоплотная плазма для осаждения пленок высокого качества
• Запатентованный газовый ввод для повышенной равномерности осажденных пленок
• Оптимизированное индуктивное автоматическое сопряжение на 2 Мгц
• Доступ в реальном времени к различным режимам системы: ICP - RIE и ICP - CVD с РЧ-смещением
• Имеет окно диаметром 25 мм для лазерной интерферометрии

Катод диаметром 220 мм с:

• Подъем катода с приводом от системного ПК позволяет загружать пластину и выгружать ее и механически закреплять пластину
• Верхняя часть выполнена из алюминия и контролируется по температуре циркуляции диэлектрической жидкости
• Алюминиевый челнок с кварцевым зажимным кольцом для 4“
• Механический зажим челнока
• Гелиевый теплообмен между пластиной задней частью челнока и катодом.

Система контроля потока гелия и его давления, состоящая из:

• Газовой линии для гелия с контроллером потока, электропневматическими трехлинейными отсечными клапанами и ручными двухпоточными отсечными клапанами
• Газоанализатора от 0-100 Торр

Высокопроизводительную двойную насосную систему разработанную для плазменных процессов, которая включает:

• насос №1: ALCATEL ADP 122 P со скоростью откачки 95 м³/ч,
• насос №2 : ALCATEL ATH 500 М (турбомолекулярная помпа с магнитным подвесом, 1000 sccm при 60 mT с вводом азота),
• набор высоковакуумных клапанов для помпопредварителной откачки при безостановочной работе турбомолекулярной помпы отдельный клапан для высокого вакуума,
• измеритель вакуума MKS 0 - 1 Торр для контроля давления
• Автоматический контроль давления с очень малым временем отклика
• Отдельная линия азота с электропневматическим клапаном для вентиляции реактора.

Электронные контроллеры, включающий:

• Компьютер (процессор ARM 926 180 Мгц, ПО на карте памяти, сеть 100 Мгц 64 Мб ОЗУ шина CAN, порт RS 232) контролирует параметры процесса с откликом 100 мсек
• Модуль входов выходов с процессором ARM 7, соединенный с ПК шиной CAN
• Высоко- и низковольтные источники питания (220 VAC и 400 VAC ) и (5 V, +15 V, -15 V и +24 V ).

Газовый блок с пятью линиями (максимум 8 линий) для реактивных газов с контроллерами потока Horiba SEC-E40 или Celerity 7301. Линия газа SiH4 включают электропневматический сильфонный 3-линейный отсекающий клапан, ручной 4-линейный байпасный клапан и ручной 2-линейный сильфонный клапан, имеет напуск азота и прямое нагнетание в реактор. Другие газовые линии включают электропневматический 3-х линейный отсекающий клапан и ручной 2-х линейный сильфонный клапан Стандартные контроллеры потоков: 100 sccm O2, 100 sccm CHF3, 100 sccm N2, 100 sccm Ar, и 25 sccm SiH4.

• Согласующее устройство на 2 МГц до 2000 Вт РЧ
• 1000 Вт, 2 МГц, воздушноохлаждаемый

РЧ-генератор AE - Dressler с мониторингом прямой и отраженной мощности

• Система сопряжения на 13,56 Мгц 600 Вт
• РЧ-генератор AE Highlight 133 с воздушным охлаждением на 300 Вт при 13,56 Мгц
• Нагреватель с кабелем длиной 1 м для предотвращения конденсации субпродуктов на стенках
• Охладитель с диэлектрическим хладагентом температурный диапазон от -30 до +200°С, излучаемая мощность при 0°С 0,3 Квт, мощность нагрева 2 кВт.

Программное обеспечение COSMA, работающее на LINUX , включающее в себя:

• автоматическое переключение между шагами в мультишаговых процессах в соответствии с сигналами от датчика окончания процесса или таймеров. Число шагов каждого процесса может достигать 300. Число самих процессов ограничено только емкостью жесткого диска. Система проверяет все параметры и отображает на дисплее ошибки, которые могут происходить. Каждый шаг процесса находится под пристальным мониторингом и четко контролируется, что дает высокую воспроизводимость (повторяемость) процесса и его работоспособность. Частью пакета программного обеспечения является запись информации каждые 250 миллисекунд с возможностью дальнейшего просмотра параметров уже завершенных процессов.
• доступно четыре режима программы:

• редактирование для подгонки параметров или создания новых параметров для процессов,
• запуск процесса с его контролем в реальном времени и выводом всех параметров на дисплей,
• оптимизация для разработки новых процессов с помощью интерактивного контроля процесса и его редактирования,
• режим технического обслуживания для диагностики и калибровки системы.
• система поддерживает высокоскоростное Интернет-соединение, со статическим IP -адресом

Персональный компьютер под управлением ОС Linux и Firefox, укомплектованный:

• процессором Intel Pentium 2 ГГц,
• 1 Гб ОЗУ и 2 жесткими дисками на 143 Гб каждый, соединенными в RAD -1,
• 19 -дюймовым ЖК-монитором,
• мышкой и клавиатурой
• вакуумным шлюзом для ручной загрузки с автоматическим переносом, включает:
• руку робота с пневматическим приводом, оконечник с магнитным приводом для переноса подложек диаметром до 200 мм из шлюза в реактор
• шибером VAT, MONOVAT 46 на 236 мм
• откачной системой с датчиком PIRANI (базовый вакуум менее 10 -2 мбар.)

Рамку и панель для оборудования.

Технические требования для установки плазмохимического травления и осаждения Corial 210D

• Электрообеспечение системы 400 В (±10%) 3 фазы + нейтраль + заземление / 17,5 КВА - 50 / 60 ГЦ.
• Электрообеспечение ПК 240 В или 110 В (±10%) 1 фаза + нейтраль / 0.6 КВА - 50 / 60 Гц.
• Электрообеспечение монитора 240 В или 110 В (±10%) 1 фаза + нейтраль / 0.3 КВА - 50 / 60 Гц
• Общее энергопотребление при работе: 10,3 КВт
• Общее энергопотребление при подготовке: 3 КВт
• Отраженная мощность в чистую комнату (при процессе): 3,2 КВт
• Отраженная мощность в «серое» помещение (при процессе): 3,5 КВт
• Сухой и фильтрованный азот с регулятором от 0 до 3 атм. (Предоставляется заказчиком), полиамидный шланг Ø4/6 мм.
• Сжатый воздух > 7 атм., полиамидный шланг Ø4/6 мм
• Вода: 20°С с давлением 0/3 атм.
• Вытяжка ≥10 м³/ч, Через ПВХ DN 40 (Предоставляется заказчиком)
• Вытяжка для газа ≥10 м³/ч, Через ПВХ Ø80 мм (Опция)
• Газовые линии марки 316 L с клапанами и регуляторами от 0 до 3 атм. (Предоставляется заказчиком)
  
  * Внимание: для газов (SF6, CHF3, CF4, и т.д.) необходима установка двух регуляторов.
  
• Окончание линий Ø4/6 мм с коннектором VCR «мама»
• Чистота газов – для электронной промышленности
• Дополнительно: выход в интернет со статическим IP-адресом