Мы на карте
Для получения информации оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Нажимая кнопку «Отправить», я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом №152-ФЗ, на условиях и для целей, определенных в Согласии на обработку персональных данных.
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Оборудование Компоненты Сервис
Москва, Киевская, 7

Установка глубокого плазмохимического травления Plasma Therm Versaline ETCH

Модульная платформа VERSALINE® с широкими возможностями для модернизации. На базе платформы VERSALINE возможно создание различных модернизируемых конфигураций, как ручных, так и полностью автоматизированных, с учетом разнообразных сфер применения и пользовательских запросов (РИТ, ГРИТ, ИСП и импульсное высокочастотное РИТ).

Производитель: Plasma Therm
Страна-производитель: США
Возможность двухэтапной приемки
на заводе производителе

Основные возможности:

  • Максимальная производительность при низких эксплуатационных затратах
  • Полноценные 2 МГц для оптимальной эффективности и снижения емкостных связей без экранирующей клетки Фарадея
  • Высокоскоростное бездефектное травление сквозных отверстий III-V (GaAs, InP)
  • Инновационные конфигурации, позволяющие работать как с отдельными пластинами, так и с партиями
  • Различные опции для работы с подложками
  • Первоклассная технология моментального модулирования процесса с уникальными широтными характеристиками для глубокого травления кремния (DSE)
  • Большая библиотека процессов для электроники и фотоники

Подойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта
Установки VERSALINE обеспечивают эталонную эффективность и адаптивность для специализированных быстро развивающихся рынков высокотехнологичных производств – от НИОКР до крупных предприятий


Максимальная стабильность и воспроизводимость процесса, возможность травления в ИСП с  опциональным нагревом
Эффективное управление тепловым режимом
Максимальная стабильность и воспроизводимость Plasma Therm Versaline ETCH.png


  • Устранение эффекта первой подложки
  • Улучшенная воспроизводимость
  • Сокращение времени необходимого для очистки реактора
  • Длительный срок службы защитного керамического цилиндра
Эффективное управление Plasma Therm Versaline ETCH.png


  • Эффективное охлаждение пластины при интенсивных процессах благодаря моноблочному электроду
  • Цельный механический прижим по всему периметру для более эффективного гелиевого охлаждения
  • Оптимальный температурный режим,возможна установка электростатического держателя
  • Деликатный подъемный механизм с 3 пинами
  • Возможность работы с подложками различной толщины

  • Доказанная надежность программного обеспечения
    • Интуитивно понятная базовая программа – ControlWorks
    • Комплексная запись данных
    • Программирование автоматизированных циклов очистки
    • Отображение данных в реальном времени
    • Система автоматического окончания процесса
    • Совместимость со средствами производственной автоматизации (SECS/GEM)
    • Редактирование рецептов во время работы
    • Многопользовательский доступ различных уровней
    • Сбор статистики аварийных сообщений
Cortex Система управления Plasma Therm Versaline ETCH.png
Cortex Система управления

Интерфейс ПО Plasma Therm Versaline ETCH.png
Пользовательский интерфейс EndpointWorks

  • Глубокий контроль процесса с системой EndpointWorks от Plasma-Therm
  • Различные источники для определения конечного состояния
    • Лазерная интерферометрия (LES)
    • Оптическая спектрометрия (OES)
    • Оптическая интерферометрия (OEI)
    • Системные параметры
    • Пользовательские настройки
  • Оптическая спектрометрия (OES)
    • Определение конечного состояния при работе с многослойными покрытиями
    • Контроль целевой глубины травления
    • Улучшенная повторяемость между партиями
  • Доступен для широкого диапазона технологических задач
Графики OES для многослойного травления Plasma Therm Versaline ETCH.png
Графики OES для многослойного травления

InP кольцевой осцилятор.jpg
InP кольцевой осцилятор
Микроактуатор для МЭМС.jpg
Микроактуатор для МЭМС
Сквозное отверстие GaAs.jpg
Сквозное отверстие GaAs
Асферическая кварцевая микролинза.jpg
Асферическая кварцевая микролинза
GaN светодиод.jpg
GaN светодиод
Сапфировая подложка.jpg
Сапфировая подложка с упорядоченной структурой (PSS)
 

Различные конфигурации загрузки подложек


РАЗЛИЧНЫЕ КОНФИГУРАЦИИ ЗАГРУЗКИ ПОДЛОЖЕК Plasma Therm Versaline ETCH.jpg


Технические характеристики


Температуры обработки
от -40°C до 40°C
от 10°C до 60°C
от 10°C до 200°C
Размер электрода
8” (200 мм) в диаметре
Загрузка
Ручная, загрузочный шлюз или кассетная
Система управления
На базе ControlWorksTM (с записью данных)
Насос
Сухой насос
Газовые линии
До 8
Определение окончания процесса (при использовании системы управления EndpointWorkd)
Лазерная система (LES)
Оптическая интерферометрия (OEI)
Оптическая спектрометрия (OES)
Питание ВЧ генератора
2 КВт @ 2 МГц ИСП
3,5 КВт @ 2 МГц ИСП
Двухдиапазонная 600 Вт @ 13,56 МГц
Тип установки
Через стену или полностью в чистом помещении
Требования к питанию
200-230 В, 50/60 Гц
Сертификация
СЕ, SEMI-S2, S8



Варианты исполнения манипулятора


ВАРИАНТЫ ИСПОЛНЕНИЯ МАНИПУЛЯТОРА Plasma Therm Versaline ETCH.jpg

Единицы измерения: мм


Спасибо!
Мы направили вам на электронный адрес
подробное техническое описание оборудования plasma therm versaline etch


Получить брошюру на почту
Оставьте свой электронный адрес и мы вышлем вам
подробное техническое описание оборудования plasma therm versaline etch
Нажимая кнопку «Получить», я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом №152-ФЗ, на условиях и для целей, определенных в Согласии на обработку персональных данных.
×
Для получения информации по установке оставьте свои данные и технический эксперт свяжется с вами
Нажимая кнопку «Отправить», я даю свое согласие на обработку моих персональных данных, в соответствии с Федеральным законом №152-ФЗ, на условиях и для целей, определенных в Согласии на обработку персональных данных.
Обратите внимание, что ответ специалиста может занять некоторое время.
×
Наверх