Оборудование Компоненты Сервис |
Москва, Нижний Сусальный пер. 5, стр. 4
|
Система травления в парах плавиковой кислоты VPE

Системы травления в парах плавиковой (фтороводородной) кислоты. Система превосходно приспособлена для поверхностной микромеханики, изготовления МЭМС КНИ, химической резки пластин, утонения и многих других приложений
Основные возможности:
- Безопасная работа с кислотой
- Возможность повторного использования кислоты
- Простой механизм фиксации пластин
- Идеальна для любого размера пластин
- Защита задней стороны пластины
- Низкая стоимость
Установка VPE предназначена для травления жертвенных слоев оксида кремния на пластинах в парах фтороводородной кислоты, используется в производстве полупроводниковых приборов.
Фторводородная кислота - это идеальный травитель для все типов оксида кремния, используемый в микрообработке. Широко применяется благодаря высокой скорости травления и высокой избирательности в отношении к кремнию. Типично применение систем травления в плавиковой кислоте является удаление жертвенных оксидных слоев в производстве МЭМС. Однако, что характерно для жидкофазного травителя, есть высокий риск прилипания к подложке подвижных структур из-за эффекта поверхностного натяжения.
Cистемы травления работают в паровой фазе. Система травления в парах фтороводородной кислоты превосходно приспособлена для поверхностной микромеханики, изготовления МЭМС КНИ, химической резки пластин, утонения и многих других приложений.
Травления в парах плавиковой кислоты - это практически сухой процесс. Нагревая пластину можно контролировать скорость травления. Т.к. пластины не контактирует с жидкостью становиться возможным отделение отдельных элементов МЭМС. Стандартная скорость травления 4-10 микрон/час.
Система доступна в различных версиях, для обработки пластин различного диаметра 4", 6" и 8".




До травления: 100 мм кремниевая пластина со слоем термического оксида 1 микрон. |
После 25 минут: Внутренняя часть имеет цветовую индикацию гомогенности травления |
После 30 минут: Часть оксида стравилось. |
После 35 минут: Вес оксид был стравлен с 80% диаметра пластины |
Описание установки.
Установка HF VPE состоит из реакционной камеры и держателя пластин. Нагревательный элемент встроен в держатель пластин. Он контролирует температуру поверхности изделия, подвергаемого травлению. Фиксацию пластин можно осуществить двумя способами:
Пластины можно зафиксировать механически при помощи зажимного кольца. Винтовое соединение расположено на задней стенке установки, которая никогда не попадает в прямой контакт с парами кислоты. Три гайки завинчиваются легко даже в защитных перчатках.
Второй способ - это электростатическая фиксация. На нагревательном элементе могут фиксироваться отдельные чипы (больше 5x5 мм2), а также пластины. Большая площадь тыльной стороны пластины защищена от травления.
Жидкая кислота заливается в реакционную камеру. Реакционная камера закрывается держателем пластин. Кислота испаряется при комнатной температуре, процесс травления начинается самопроизвольно. Ход травления контролируется температурой пластины, которая может быть задана в диапазоне от 35°C до 60 °C.
По завершению процесса кислоту можно хранить для повторного использования в герметизирующемся контейнере. Переливание жидкости осуществляется очень просто - посредством опускания присоединенного резервуара при помощи ручки. Под действием силы тяготения кислота переливается в резервуар и закрывается клапаном. Повторное наполнение кислотой производится путем открывания клапана и поднятия ручки. Кислота перетекает в реакционную камеру. Кислота может быть использована для травления многократно, пока не возникнет необходимость ее замены.

![]() |
![]() |
![]() |
Фиксирующее кольцо механическое. | Держатель пластин с механическим зажимом для фиксации 100 мм пластин, Пластина фиксируется 6 клипсами для увеличения области травления |
Система травления в парах кислоты. Система травления в работе. |
Применение установки.
Отделение элементво МЕМС
- Утонение структур
- Химическая резка структур на КНИ подложке
- Травление переднего слоя SiO2 (задний слой защищен во время процесса)
Особенности:
Регулируемая скорость травления от 0 до 10 микрон/час
![]() |
![]() |
Структура кремния на КНИ подложке. Отделение SiO2 точно контролируется. |
Изготовление МЕМС. |
![]() |
Электростатический держатель пластин Такой держатель является чрезвычайно полезным в НИОКР, где работа над целой пластиной не всегда возможна. Электростатическое крепление чипов подходит для процессов скрайбирования МЭМС до травления в парах в плавикой кислоте. Изменяя классическую последовательность изготовления МЭМС, становиться возможным изготовить МЭМС с очень мягкой подвеской. Использовать электростатический держатель очень просто. Чипы располагают на поверхности держателя пластин, при включении пультом управления, электростатическая сила прижимает чипы. Сила электростатического прижима может быть скорректирована. |
![]() |
Защитное кольцо и Кольцо адаптер для держателя пластинЗащитное кольцо помещается на рабочую камеру, защищая от паров кислоты. Сетка кольца улавливает отделенные кислотой детали, не прикрепленные к ручке. Пары кислоты конденсируются на сетке. Не прикасайтесь к ней без защиты. |
![]() |
Адаптер для держателя пластин используется для работы с маленькими пластинами, такой адаптер можно использовать для держателя пластин на 150 и 200 мм. |

ИК микроскоп
ИК Микроскоп оснащен ...

Установка инспекции пластин WBI
Установка инспекции ...