|
Москва, Нижний Сусальный пер. 5, стр. 4
|
Автоматическая установка совмещения и экспонирования пластин до 100 мм Suss MA100 Gen2
MA100e Gen2 от компании SUSS MicroTec является автоматической установкой совмещения для 100 мм пластин, данная технология одностороннего и двустороннего совмещения подходит для производства МЕМС, ВЧ-электроники, светодиодов, ПАВ фильтров и пр.
Производитель: SUSS MicroTec
Страна-производитель: Германия
Возможность двухэтапной приемки на заводе производителе
Основные возможности:
- Одновременная обработка трех пластин позволяет добиться скорости > 145 пластин в час, включая время на автосовмещение и экспонирование
- Экспонирующая оптика высокой интенсивности уменьшает требуемое время процесса
- Качественно новая система распознавания структуры сводит к минимуму участие оператора и ручное обслуживание
- Комплект инструментов, предназначенный для различных размеров пластин, экономит время настройки установки под разные размеры пластин
- Оптика для уменьшения дифракции для печати с микрозазором для процессов с высокими требованиями к разрешению.
- Высокая равномерность засветки позволяет получить превосходную повторяемость получаемой структуры
- Технологии SUSS DirectAlign и ThermAlign Technology обеспечивают совмещение на субмикронном уровне
- Бесконтакное предварительное совмещение защищает хрупкие пластины
- Специальные системы перемещения для хрупких, искривленных и прозрачных пластин
Инжиниринговые услуги:
Системы виброзащиты оборудованияПодойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта
| Вам нужно | Наше решение MA100e Gen2 |
|---|---|
| Высокая пропускная способность |
|
| Высокая производительность |
|
| Надежная система перемещения составных полупроводниковых пластин |
|
Автоматическая установка совмещения для крупносерийного производства
MA100e Gen2 от компании SUSS MicroTec является специализированной установкой совмещения для обработки сверхъярких СИДов (HB-LED), а также других составных полупроводников, таких как силовые устройства и ВЧ-МЭМС. Благодаря совмещению высокой точности, особой системе перемещения для хрупких, искривленных и прозрачных пластин и оптике высокого разрешения система MA100e Gen2 соответствует общей тенденции уменьшения расходов и увеличения производительности.
Высокая пропускная способность благодаря быстрой обработке пластин .
Система MA100e Gen2 может одновременно перемещать три пластины, что приводит к сокращению продолжительности цикла до 145 пластин в час (215 пластин в час первый шаблон).
Высокая производительность благодаря оптимизированной экспонирующей оптике
При разрешении 2.5 мкм L/S с зазором экспонирования 20 мкм оптика для уменьшения дифракции компании SUSS может справиться с любыми сложностями процесса производства составных полупроводников. На пластинах 100 мм оптика UV400 с лампой мощностью 350Вт обеспечивает широкополосное единообразие 65 мВт/см2 с равномерностью освещения < 2.5%, что приводит к улучшенному контролю критических размеров.|
Рисунок из линий и пробелов 2.5 и 3 мкм. Напечатано в DNR-L300-D1 резисте на 2“ сапфировых/GaN пластинах, экспонирование с микрозазором: 20 мкм |
Высокая производительность благодаря субмикронному совмещению
Система MA100e Gen2 оснащена моторизованной системой совмещения с верхней стороны с точностью совмещения < ± 0.7 мкм (Direct Align). Опция совмещения с нижней стороны (BSA) обеспечивает точность < ± 1.5 мкм. Микроскоп для совмещения, система камеры и современное ПО установки MA100Gen2 отвечают специальным требованиям производства сверхъярких СИДов и гарантируют отличную контрастность даже на прозрачных или текстурированных пластинах. Метки будут заметны, даже если фон поверхности изменяется с каждой пластиной.
Совмещение размытой метки пластины, используется
для производства СИД. Распознавание рисунка основано
на ПО PatMax® от Cognex.
|
Высокая пропускная способность Одновременное перемещение 3 пластин + Короткие расстояния |
|
Долгий срок службы Надежная технология + Простота |
Высокая точность Линейная транспортировка + Высокая точность перемещения |
|
Система экспонирования |
||
|---|---|---|
|
Оптика |
UV400 |
|
|
Разрешение |
до 0.7 мкм L/S (вакуумный контакт) |
|
|
Стандартная интенсивность |
65 мВт/см2 |
|
|
Равномерность интенсивности |
± 2.5% на 100 мм |
|
|
Размер ламп |
350 Вт, 1000 Вт (опц.) |
|
|
Система совмещения для экспонирования |
||
|
Распознавание рисунка |
современное ПО |
|
|
Точность совмещения (TSA) |
< ± 1.0 мкм < ± 0.7 мкм (DirectAlign) |
|
|
Точность совмещения (BSA), только по запросу |
< ± 1.5 мкм | |
|
Зазор совмещения |
до 300 мкм (TSA) до 2500 мкм (BSA) |
|
|
Метка совмещения |
стандарт: перекрестие или по инд. дизайну |
|
|
Система автом. совмещения |
система распозн. рисунка Cognex 8100 (AL8000) |
|
|
Функция автом. совмещения |
режим PatMax и CNL |
|
|
Производительность MA100e Gen2 |
||
|
U400 |
||
| Тип оптики: | 2'' | 4'' |
| Вакуумный контакт | 0.7 мкм | 0.7 мкм |
| Жесткий контакт | 1.0 мкм | 1.0 мкм |
| Мягкий контакт | 2.0 мкм | 2.0 мкм |
| Зазор (20 мкм) | 2.5 мкм | 2.5 мкм |
|
Доступное разрешение зависит от качества контакта, типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться в зависимости от процесса (толщина резиста 1 мкм, линии и пробелы) |
||
| Перемещение пластины, коммуникации, размеры | ||
| Размер пластины/ подложки | от 2“ до 100 мм круглые подложки | |
| Тип транспортировочной системы | линейный робот | |
| Работа с искривл. пластинами | да | |
| Бесконтактное совмещение | да | |
| Пропускная способность |
> 145 пластин в час (зазор) > 215 (первый шаблон) |
|
| Система управления | Windows | |
| Основание | 2.2 м2 | |
|
Макс. УФ-излучение |
3 мкВт /см2 (на всех доступных оператору участках) | |
495 287 8577
infos@tbs-semi.ru
Найти на карте