Ручная установка совмещения и экспонирования SUSS MJB4

Качество и инновации

---

Установка совмещения MJB4 от компании SUSS MicroTec является идеальной системой для исследовательских институтов, университетов и мелкосерийного производства. Простая в эксплуатации и компактная система MJB4 задает стандарты обработки маленьких пластин/подложек или кусочков и предлагает отличное экономичное и эффективное решение для покупателей с ограниченным бюджетом.

MJB4 обеспечивает надежное высокоточное совмещение и печать высокого разрешения в субмикронном диапазоне и демонстрирует характеристики, не имеющие равных среди аналогичных машин. MJB4 широко используется в производстве МЭМС и оптоэлектроники. Систему можно настроить для наноимпринт-литографии в УФ (UV-NIL) и обработки нестандартных пластин, таких как гибридные ИС, высокочастотные компоненты для хрупких материалов III-V.

Ведущая позиция в отрасли в направлении научных исследований и мелкосерийного производства

---

Компания SUSS MicroTec сохраняет свою лидирующую позицию на рынке технологий совмещения и экспонирования благодаря инновационным процессам и технологическому совершенству. Система MJB4 является наиболее универсальным и гибким решением среди доступных для небольших лабораторий. MJB4 предлагает индивидуальные решения для перемещения стандартных и нестандартных подложек, таких как хрупкие составные полупроводники, искривленные и просверленные подложки. В качестве дополнительного оборудования доступен широкий выбор держателей пластин и шаблонов, которые легко интегрируются в необходимый процесс.

MJB4 используется для литографии СИДов.	Микроструйное устройство	Пьезо-мотор для МЭМС
Структуры с крутыми стенками, изготовленные в резисте SU8 толщиной от 100 до 200 мкм.	Надежное формирование рисунка в субмикронном диапазоне с оптикой для уменьшения дифракции. Разрешение 0,6 мкм при толщине резиста 0,8 мкм.	UV-NIL: 50 нм, 70 нм линии и пробелы, импринтинг с помощью установки MJB4

Решения MJB4 в области научных исследований

---

Стремление компании SUSS MicroTec поддерживать разработки в области научных исследований подчеркивает наше желание создавать технологические инновации. Установка совмещения и экспонирования MJB4 является эффективной и экономичной, но в то же время чрезвычайно гибкой и современной системой для области научных исследований и разработок. Она представляет собой прекрасную универсальную платформу для создания новых процессов и технологий.

Простая и быстрая замена

---

MJB4 обеспечивает быстрое переключение между различными размерами пластин. В замене нуждаются только держатели пластин и шаблона, к которым оператор имеет легкий доступ. Квалифицированный оператор произведет необходимые действия менее чем за 5 минут.

Компактное основание

---

В системе MJB4 максимальная функциональность сочетается с минимальными размерами. Благодаря основанию менее 0,5 м² MJB4 занимает минимум места в чистой комнате.

Простое программное обеспечение

---

Элегантный интерфейс пользователя на базе сенсорной панели очень прост в освоении и требует минимального обучения оператора.

Совмещение в ИК-излучении (IR)

---

Позволяет перемещать непроницаемые, но прозрачные для ИК-излучения материалы, такие как GaAs, InP, кремний или адгезивы, которые используются при обработке тонких пластин или в процессах инкапсуляции.

Совмещение сверху (TSA)

---

Установка MJB4 может быть оборудована системой совмещения сверху с ручным управлением.

Экспонирующая оптика для уменьшения дифракции

---

Во всех установках совмещения компании SUSS используется оптика с функцией уменьшения дифракции, которая компенсирует нежелательные эффекты при литографии с микрозазором или в режиме контакта. В установке совмещения фотошаблон облучается не просто планарной волной, а круговым спектром волн для уменьшения порядков дифракции. Оптика для уменьшения дифракции от компании SUSS MicroTec значительно улучшает разрешение и профили боковых стенок. Экспонирующие оптические компоненты доступны для спектральных диапазонов UV400, UV300 и UV250 и могут значительно улучшить разрешение и профили боковых стенок.

СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ РЕШЕНИЯ MJB4 – это система экспонирования всей поверхности пластины, способная обрабатывать пластины и подложки размером до 100 мм, а также кусочки.

Компания SUSS MicroTec предлагает оптимизированные решения для специальных спектральных диапазонов, таких как UV250, UV300 и UV400. Все оптические компоненты обеспечивают равномерность освещения < 3 %.

Слева - сильные эффекты дифракции от параллельного освещения Справа - уменьшающая дифракцию оптика компании SUSS. SUSS MicroTec является единственным поставщиком полупроводникового оборудования, который предлагает оптические системы для уменьшения дифракции.

Комбинированная широкополосная оптика от компании SUSS позволяет легко переключаться между процессами и длинами волн без механических замен. Эта уникальная новая оптика разработана для диапазонов UV250, UV300 и UV400 и предлагает широкополосные спектры при использовании всего лишь одной УФ-лампы.

Экспонирующая оптика SUSS MO Exposure Optics - новый подход в освещении, в основе которого лежат два интегратора Келера, сочетающая в себе максимальную равномерность и гибкость формирования освещения. Сменные фильтры позволяют быстро переключаться между различными типами оптики, что обеспечивает исключительную гибкость обработки.

Установка совмещения и экспонирования MJB4 может работать с несколькими режимами экспонирования:

Мягкий контакт

---

В режиме мягкого контакта пластина приводится в контакт с фотошаблоном и фиксируется на держателе с помощью вакуума. В этом режиме экспонирования установка MJB4 может достичь разрешения 2.0 мкм.

Жесткий контакт

---

В этом режиме пластина приводится в прямой контакт с шаблоном, используется избыточное давление азота, чтобы прижать подложку к фотошаблону. В режиме жесткого контакта возможно разрешение в диапазоне 1 микрона.

Вакуумный контакт для высокой точности

---

В этом режиме во время экспонирования между шаблоном и подложкой создается вакуум. Доступное разрешение - < 0.8 мкм.

Режим мягкого контакта

---

При работе с хрупкими подложками возможно экспонирование в режиме слабого вакуума. Этот режим уменьшает воздействие вакуума на подложку, что не позволяет добиться такого высокого разрешения, как в режиме мягкого или жесткого контакта.

Экспонирование с микрозазором

---

Хотя установка MJB4 не считается системой экспонирования с зазором, этот режим позволяет проводить экспонирование с предварительно заданным зазором до 50 мкм после исходного выравнивания шаблона и пластины. Это позволяет уменьшить повреждения шаблона, особенно в случае элементов большего размера.

Разрешение MJB4
Режим экспонирования	UV400	UV300	UV250
Вакуумный контакт	< 0.8 мкм	< 0.6 мкм	< 0.5 мкм
Жесткий контакт	1.0 мкм	< 1.0 мкм	-
Мягкий контакт	2.0 мкм	< 2.0 мкм	-
Экспонирование с зазором	> 3.0 мкм

Разрешение, получаемое в резисте AZ 4110 толщиной 1 мкм (UV400, UV300) и UV6 (UV250) соответственно. Доступное разрешение зависит от размера и плоскостности пластины, типа резиста, условий чистой комнаты и, следовательно, будет различным для каждого процесса.

Шаблон и пластина/подложка
Размер пластины	1-100 мм/4'' (круглые)
Макс. размер подложки	100 x 100 мм
Мин. размер кусочка	5 x 5 мм
Толщина пластины	до 4 мм
Размер шаблона	стандартно 2'' на 2'' до 5'' на 5'' (SEMI)
Толщина шаблона	до 4.8 мм / 190 мил
Режимы экспонирования
Контакт: мягкий, жестки, вакуумный, мягкий вакуумный
Вакуумный контакт регулируется до 200 мбар абс
Экспонирование с зазором, регулируемый зазор 10-50 мкм
Экспонирование всей поверхности, пошаговое экспонирование
Режимы управления лампы: постоянное питание, постоянная интенсивность
Экспонирующая оптика
Разрешение
Диапазон длины волны	UV400: 350-400 нм (g, h, i-линия) UV300: 280-350 нм UV250: 240-260 нм UV250/300/400: 240-450 нм
Источник экспонирования	CPC: контроллер постоянного питания для ламп Hg 200 Вт и Hg 350 Вт CIC 1200: контроллер постоянной интенсивности для ламп Hg 200 Вт, Hg 350 Вт и HgXE 500 Вт (глубокий УФ)
Равномерность	≤ 3%
Режимы совмещения
Точность совмещения сверху (TSA)	< 0.5 мкм (с рекомендуемыми метками)
Точность ИК-совмещения	< 5 мкм (2 мкм при специальных условиях)
Режим совмещения	10-50 мкм
Столик совмещения
Диапазон перемещения	X: ± 5 мм Y: ± 5 мм θ: ± 5°
Механическое разрешение	X, Y: 0.1 мкм θ: 4 x 10-5°
Микроскоп для совмещения сверху (ТSA)
Диапазон перемещения	X: ± 40 мм Y: + 30 – 50 мм θ: ± 4°
Коммуникации
Вакуум	< – 0.8 бар < 200 сПа абс
Сжатый воздух	5.5 бар (81 psi)
Азот	> 1.5 бар (22 psi)
Требования к питанию
Напряжение	AC 230 В ± 10 %
Частота	50 – 60 Гц
Габариты
Ширина x глубина	605 x 810 мм = 0.5 м2
Высота	660 мм
Вес	до 130 кг (290 кг с антивибрационной платформой)
Безопасность оператора и эргономика	CE-маркировка, остальные по запросу Уровень давления звука: < 70 дБ A УФ-излучение (315 – 400 нм): < 0.2 мВт/см