|
Москва, Нижний Сусальный пер. 5, стр. 4
|
Полуавтоматическая установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин MA/BA6 Gen3
Система MA/BA6 Gen3 является отличным выбором для проведения литографии всей поверхности пластины для процессов в области МЭМС, 3D-интеграции и составных полупроводников.
В результате обновления линейки оборудования SUSS Microtec, взамен популярной MA/BA 6 Gen 3 с марта 2016 года поставляется улучшенная модель
SUSS MA/BA 6/8 Gen4 PRO
Производитель: SUSS MicroTec
Страна-производитель: Германия
Основные возможности:
- Оптика высокого разрешения (HR) позволяет формировать структуру с элементами размером менее 0.5 мкм
- Автоматическое совмещение и совмещение с участием оператора позволяет добиться точности до 0,25 мкм
- Расширенные автоматические функции для максимального контроля процесса
- Совместимость процессов с автоматическим оборудованием
- Оптимизированный микроскоп с двойным полем, прямым обзором и/или опцией ЖК-экрана
- Простое переключение в режим совмещения для сращивания
- Возможна модернизация до 8"
Инжиниринговые услуги:
Системы виброзащиты оборудованияПодойдет ли эта установка для моей технологии?Консультация эксперта
Установка совмещения, экспонирования и сращивания пластин до 150 мм
MA/BA6 Gen3 представляет собой инновационную установку совмещения, предназначенную для научно-исследовательской деятельности и производства. Она обеспечивает высокую гибкость процессов и предлагает новые характеристики и ключевые компоненты, такие как система управления на базе Windows, автоматическое совмещение или совмещение с подсказками и компенсация погрешности. Установку совмещения можно дополнительно оборудовать системой для импринт литографии (SMILE) для большой площади.
Система MA/BA6 Gen3 является отличным выбором для проведения литографии всей поверхности пластины для процессов в области МЭМС, 3D-интеграции и составных полупроводников.
|
Решения MA/BA6 GEN3 |
|
|---|---|
|
Характеристики и преимущества |
|
|
Опции |
|
Благодаря способности обрабатывать любые типы пластин и подложек, ручные установки совмещения все чаще используются в производственной среде. Новая установка совмещения и экспонирования MA/BA6 Gen3 отвечает постоянно растущим требованиям более жесткого контроля процесса и высокой производительности. Установка MA/BA6 Gen3 предназначена для быстрой и эффективной разработки новых технологий и изделий. Исследовательские организации выиграют от расширенных возможностей данной машины, поскольку она позволит разрабатывать необходимые процессы на оборудовании, выполненном в соответствии с отраслевыми стандартами. Система позволяет легко и экономично перенести процесс из лаборатории в производство. Возможна модернизация установки MA/BA6 Gen3 до 8".
Интегрированная функциональность
Помимо режима стандартной установки совмещения MA/BA6 Gen3 предлагает целый ряд функций, например нано-импринтинг, совмещение для сращивания и УФ-сращивание с возможностью быстрого переключения между ними.
Расширяем границы технологии
Не имеющая аналогов точность совмещения в сочетании с высоким разрешением и максимальной равномерностью подсветки делают MA/BA6 Gen3 оптимальным выбором для применения в различных областях - от МЭМС, оптоэлектроники и 3D-интеграции до микрооптики и нанотехнологий.
 |
 |
|
|
Наноимпринт-литография. Отверстия шириной 160 нм, расположенные в форме концентрических колец, используются в фотонных кристаллах |
МЭМС. Напечатанные структуры 500 мкм SU8 |
| Шаблон и пластина/подложка | |||
|---|---|---|---|
|
Размер пластины |
1'' - 150 мм |
||
|
Макс. размер подложки |
150 х 150 мм |
||
|
Мин. фрагментов |
5 х 5 мм |
||
|
Толщина пластины |
макс. 10 мм |
||
|
Размер шаблона |
стандарт 2'' х 2'' до 7'' х 7'' (SEMI) |
||
|
Режимы экспонирования |
|||
|
Контакт |
Мягкий, плотный, вакуум |
||
|
Зазор |
Зазор экспонирования 1-300 мм |
||
|
Точность настройки зазора |
1 мкм |
||
|
Вакуумный контакт |
Регулируется до - 80 кПа |
||
|
Режимы |
Постоянное питание, постоянная доза |
||
|
Опции |
Сплошное, ступенчатое экспонирование |
||
|
Экспонирующая оптика |
|||
|
Разрешение* |
|||
| Режим экспонирования |
uV400 |
uV300 | uV250 |
|
Вакуумный контакт |
1.5 мкм | 0.5 мкм | 0.4 мкм |
| Плотный контакт | 2.0 мкм | 1.0 мкм | - |
| Мягкий контакт | 3.0 мкм | 2.0 мкм | - |
| Зазор (20 мкм) | 3.5 мкм | 2.5 мкм | - |
| Диапазон длин волн |
UV400 350-450 нм UV300 280-350 нм UV250 240-260 нм |
||
|
Источник экспонирования |
Лампы Hg 350-1000 Вт (опционно 5000 Вт) |
||
|
Равномерность интенсивности |
< 3.5% (150 мм) |
||
|
Методы совмещения |
|||
|
Совмещение сверху (TSA) |
Точность < 0.5 мкм (совмещение с подсказками или рекомендованными метками пластин) |
||
|
Совмещение снизу (BSA) |
точность < 1.0 мкм | ||
| Диапазон фокусировки при TSA | 1– 400 мкм (AL400 – фокус с приводом и захват изображения) | ||
| Точность установки сращивания | 2 мкм | ||
| Станина совмещения | |||
|
Диапазон перемещения MA |
X: ± 5 мм
Y: ± 5 мм ϴ: ± 5 ° |
||
|
Диапазон перемещения BA |
X: ± 3 мм Y: ± 3 мм ϴ: ± 3° |
||
|
Разрешение |
0.1 мкм |
||
|
Микроскоп TSA |
|||
|
Диапазон перемещения |
X: 33 – 202 мм Y: +18 –100 мм ϴ: ± 5° |
||
|
Микроскоп BSA |
|||
|
Диапазон перемещения |
X: 20 – 210 мм Y: ± 22 мм |
||
| Графический интерфейс пользователя | |||
| Windows XP | |||
| Неограниченное хранилище рецептов | |||
| Удаленный доступ | |||
| Коммуникации | |||
| Вакуум |
<– 0.8 кПа |
||
|
Сжатый воздух |
0.6 - 0.8 МПа | ||
|
Азот |
> 0.5 МПа | ||
| Требования к питанию | |||
| Питание |
напряжение AC 230 В ± 10 % частота 50 – 60 Гц |
||
| Размеры | |||
| Ширина х глубина | 1350 x 1000 мм = 1.35 м2 | ||
| Высота | 1803 мм | ||
| Вес | ~ 750 кг | ||
| Безопасность оператора и эргономичность | |||
|
Сертификат SEMI S2 |
|||
| Сертификат SEMI S8 | |||
| ЭМС | |||
| Соответствует стандартам СЕ | |||
* Доступное разрешение зависит от качества контакта, типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться в зависимости от процесса (толщина резиста 1 мкм, линии и пробелы)
|
Равномерность УФ-излучения |
|||
|---|---|---|---|
| Средняя интенсивность | Размер пластины | ||
| 6" | < 4" | ||
| i-линия* | 40 мВт/см2 | 3.0 % | 2.0 % |
| Широкий спектр** | 60 мВт/см2 | 3.0 % | 2.0 % |
|
* измерено щупом 365 нм
** измерено широкополосным зондом |
|||
Оборудование для полного цикла производства
Suss LabSpin 6/8
Эти системы разработаны ...
Suss SB6/8 Gen2
Высокоточный бондер для ...
Suss RCD8
Платформа нанесения и ...
Suss AS 8/12
Уникальная система ...
Suss XB8
Высокоточный ...
495 287 8577
infos@tbs-semi.ru
Найти на карте