Установка совмещения и экспонирования Suss MA/BA8 Gen3

Навигация по описанию:
Целевые рынки
Оптические решения
Методы совмещения
Режимы совмещения
Совмещение для сращивания

---

Инновационное совершенство

Третье поколение установок совмещения и экспонирования пластин MA/BA8 представляет собой новейшую разработку платформы совмещения с ручным управлением от компании SUSS MicroTec для технического исследования и производства. Установка MA/BA8 Gen3 является новой вехой в литографии сплошного поля для рынков МЭМС, 3-D интеграции и сложных полупроводников. Кроме того, она поддерживает такие передовые процессы как микро- и наноимпринт литография, предварительное совмещение для сращивания, сращивание с использованием УФ, выборочная активация плазмы, а также импринтинг и сборка микролинзы на уровне пластины.

Благодаря способности обрабатывать любые типы пластин и подложек, ручные установки совмещения все чаще используются в производственной среде. Новая установка MA/BA8 Gen3 SUSS MicroTec отвечает постоянно растущим требованиям более жесткого контроля процесса и высокой производительности.

---

Расширяя границы технологий

Не имеющая аналогов точность совмещения в сочетании с высоким разрешением и максимальной равномерностью света превращает систему MA/BA8 Gen3 в универсальное устройство для целого ряда применений, начиная от МЭМС, оптоэлектроники и 3D-интеграции, до микрооптики и нанотехнологий.

МЭМС Напечатано в структурах 500 мкм SU8	UV LIGA Микромеханические компоненты часов	CMOS корпусирование датчика изображений, TSV - литография через верхнее и нижнее отверстие
Субмикронное формирование рисунка, толщина резиста 350 нм, линии 400 нм AZ6612 Напечатано с помощью оптики высокого разрешения SUSS UV400 HR	Технология CSP на уровне пластины Слой перераспределения	Импринт-литография микролинзы (SMILE) Микролинзовая решетка для технологии WLC (размеры линзы: толщина 30 мкм, диаметр 1600 мкм)
Наноимпринт литография с УФ-излучением Отверстия шириной 160 нм, расположенные в концентрических кольцах, которые используются для фотонных кристаллов.	Импринт-литография по большой площади (SCIL) с мягким штампом	Выбор Выборочная активация плазмы на пластине 4"

---

ОБЪЕДИНЯЕМ ПРОМЫШЛЕННОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ И ПРОИЗВОДСТВО

Инновационность, высокая производительность, экономичность, эффективность и краткосрочная реализация являются ключевыми двигателями разработки и анализа изделий в начале 21 века.

MA/BA8 Gen3 от компании SUSS MicroTec является инновационным, современным решением в области ручных установок совмещения, которое предлагает высокую гибкость процессов в сочетании с субмикронным совмещением и оптимизированной литографией с толстопленочным резистом, микро- и наноимпринтингом с использованием УФ-засветки, УФ-сращиванием и улучшенным совмещение для сращивания.

Созданная для научно-исследовательских целей и производственной среды, установка MA/BA8 Gen3 позволяет проводить исследования с учетом всех производственных факторов. Она позволяет легко и экономично перенести процесс из лаборатории на производство. Ключевые компоненты, такие как оптика, система совмещения и ГИП полностью согласуются с платформой производственной установки совмещения компании SUSS.

ПРОМЫШЛЕННОСТИ НЕОБХОДИМО ИССЛЕДОВАНИЕ – ИССЛЕДОВАНИЮ НЕОБХОДИМО ОБОРУДОВАНИЕ

Качество нашей жизни в будущем зависит от инвестиций, которые мы вкладываем в исследования сегодня. Чтобы идти в ногу со временем, разрабатываются инновационные технологии и изделия, которые позже будут запущены в крупносерийное производство. Благодаря высокоэффективной технологии ручные установки совмещения от компании SUSS MicroTec способствуют исследованию и развитию, таким образом помогая нам создать новое будущее.

Полностью автоматические установки совмещения от компании SUSS MicroTec на данный момент используются на всех основных производствах МЭМС и составных полупроводников, где основными требованиями являются высокая производительность и экономичность производства.

---

МЭМС

MA/BA8 Gen3 с экспонирующей оптикой высокой интенсивности является чрезвычайно эффективным средством для применений в области МЭМС с толстопленочным фоторезистом. Инновационные свойства или комплекты инструментов, такие как система совмещения в ИК-излучении, совмещение для сращивания, выборочная активация плазмы или возможность работы с маленькими подложками делают установку MA/BA8 Gen3 высокоэффективным инструментом для разработки и мелкосерийного производства МЭМС-устройств.

---

ИССЛЕДОВАНИЕ

Быстрая смена между опциями, такими как литография для тонко- и толстопленочного фоторезиста, микро- и наноимпринтинг, УФ-сращивание, совмещение для сращивания, прямое сращивание и выборочная плазменная обработка, делает систему MA/BA8 Gen3 идеальным инструментом для целого ряда применений в области исследований и разработок.

Систему можно оснастить в зависимости от необходимости и превратить в недорогое устройство с ручным управлением для базовых операций или высокоавтоматизированную платформу с автоматическим совмещением для промышленных исследований.

---

Импринтинг

Благодаря различным возможностям микро- и наноимпринтинга система MA/BA8 Gen3 позволяет получить необходимое решение с высоким или низким разрешением, на большой или маленько площади. Опция UV-NIL позволит выполнить печать с максимальным разрешением на маленьких подложках.

Для импринтинга по всей площади пластин размером до 8 дюймов или при использовании технологии SMILE, микроимпринтинг с помощью мягких штампов или уникальная технология наноимпринтинга SCIL для получения максимального разрешения, система MA/BA8 Gen3 является оптимальным выбором.

---

ВЫСОКОИНТЕГРИРОВАННЫЙ ФУНКЦИОНАЛ

MA/BA8 Gen3 представляет собой универсальную систему для научно-исследовательской деятельности и производства с участием оператора. Кроме того, ее легко модернизировать с помощью дополнительных технологий.

Система MA/BA8 Gen3 предлагает до пяти решений в одном устройстве: Фотолитография сплошного поля Совмещение для сращивания: совмещение двух подложек для последующего сращивания УФ-импринтинг: UV-NIL, SCIL и SMILE УФ-сращивание: сборка на уровне пластины устройств и УФ-отверждаемого материала Выборочная активация плазмы для частичной активации поверхности и подготовки сращивания

ИДЕАЛЬНОЕ СОВМЕЩЕНИЕ

Высокоточное совмещение играет значительную роль на протяжении всего процесса изготовления МЭМС или полупроводника. Система MA/BA8 Gen3 предлагает ряд различных систем совмещения, отвечающих требованиям конкретного процесса. В зависимости от режима и условий совмещения можно добиться точности до 0, 25 мкм (при специальных условиях).

Разрешение MA/BA8 GeN3

Режим экспонирования	UV400	UV300	UV250
Вакуумный контакт	1.5 мкм	0.5 мкм	0.4 мкм
Жесткий контакт	2.0 мкм	1.0 мкм	-
Мягкий контакт	3.0 мкм	2.0мкм	-
Зазор (20 мкм)	3.5 мкм	2.5мкм	-

Доступное разрешение зависит от типа оптики, размера пластины, плоскостности пластины, типа резиста, класса чистой комнаты и поэтому может разниться для различных процессов.

Равномерность УФ-излучения

	Средняя интенсивность	Размер пластины
		8"	6"	< 4"
i-линия*	40 мВт/cм2	3.5 %	3.0 %	2.0 %
Широкий спектр**	60 мВт /cм2	3.5 %	3.0 %	2.0 %

* измерено щупом 365 нм
** измерено широкополосным зондом





MA/BA8 Gen3 - установка экспонирования полного поля, способная экспонировать пластины размером от кусочков до 200 мм. Компания SUSS MicroTec предлагает оптимизированные решения для различных длин волн UV250, UV300 и UV400, чтобы удовлетворить различным требованиям к разрешению. Все оптические элементы обеспечивают оптимальную равномерность освещения 3.5%, в зависимости от применения пользователь может выбирать между оптическими компонентами высокого разрешения (HR) и оптикой для экспонирования с большим зазором (LGO). Элементы высокого разрешения оптимизированы использования с малыми зазорами или режимом контакта для достижения максимального разрешения. Оптические компоненты SUSS LGO предназначены для больших зазоров и используются, как правило, для процессов плотной топографией (3D) и толстопленочным фоторезистом.

СТАНДАРТНАЯ ОПТИКА ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ ДИФРАКЦИИ

Все установки совмещения компании SUSS можно оборудовать рядом оптических конфигураций, предназначенных для компенсации эффектов дифракции. Установки совмещения от SUSS проводят экспонирование не только одним параллельным лучом, но и несколькими немного наклонными лучами для уменьшения пиковой интенсивности изображений вторичной дифракции, вызванных интерференционными эффектами.

Оптические компоненты для уменьшения дифракции от компании SUSS MicroTec значительно улучшают разрешение и профили боковых стенок.

---

   

Опции TSA микроскопов

---

Микроскоп с окулярами с двойным полем

Предлагает более широкое поле обзора, более глубокий фокус и четкое изображение.

Видеомикроскоп

Микроскоп с ПЗС-камерами отображает совмещение на ЖК-экране для простой и быстрой работы.

Видеомикроскоп/ с двойным полем

Система с окулярами и ПЗС-камерой. Сочетает преимущества обоих микроскопов в одной системе. Микроскоп с двойным полем предлагает оператору более широкое поле обзора, более глубокий фокус и четкое изображение.

---

Совмещение сверху (ТSA)

MA/BA8 Gen3 можно оборудовать системой совмещения сверху с ручным или механизированным управлением. Она позволяет добиться точности до 0, 25 мкм (при специальных условиях) с автоматическим или управляемым совмещением.

Совмещение снизу (BSA)

Позволяет сформировать рисунок на верхней стороне пластины, в то время как элементы точно совмещены с нижней стороны. Система BSA установки MA/BA8 Gen3 позволяет добиться точности совмещения < 1 мкм.

ИК-совмещение (IR)

позволяет работать со светонепроницаемыми, но прозрачными для ИК-света материалами, такими как GaAs, InP, кремний или адгезивы. Они используются при работе с тонкими пластинами или при инкапсуляции.

---

Ручное совмещение

основано на использовании ручного или механизированного столика, которым можно управлять с помощью винтов микрометра или джойстика.

Автоматическое совмещение

основано на использовании моторизованного столика. Система COGNEX® автоматически распознает расположение меток пластины и контролирует перемещение столика. При использовании с функцией DirectAlign® можно добиться точности совмещения 0, 25 мкм. Автоматическое совмещение позволяет получить максимальную воспроизводимость результатов процесса в сочетании с оптимизированной пропускной способностью и минимальным вмешательством оператора.

Совмещение с подсказками

новейшая разработка полуавтоматического совмещения с участием оператора. Во время ручного совмещения система COGNEX® с функцией распознавания рисунка постоянно измеряет полученную точность и сообщает ее оператору. Благодаря субпиксельному разрешению система обеспечивает максимальную точность совмещения, исключает ошибки и максимально увеличивает производительность.

---

Система MA/BA8 Gen3 может быть настроена как сочетание установки совмещения для экспонирования и сращивания и только как установка совмещения для последующего сращивания. Система BA8 Gen3 совмещает и фиксирует пластины, чтобы сохранить их положение во время переноса материала в установку сращивания. Инновационная система отвечает требованиям потребителя и отношении высокой точности, гибкости и воспроизводимости, а также невысокой стоимости эксплуатации. В случае с процессами прямого сращивания пластины можно также предварительно срастить в установке совмещения. Для случаев с низкотемпературным прямым сращиванием BA8 Gen3 можно дополнительно оснастить комплектов инструментов для активации плазмы (SELECT).

Устойчивый столик системы BA8 Gen3 в сочетании с опциями автоматического совмещения обеспечивает надежное и точное совмещение пластин. Проверенная и запатентованная система компенсации клиновидной погрешности компании SUSS MicroTec гарантирует максимальную возможную плоскостность между пластинами.

Система BA8 Gen3 может справиться даже с наиболее сложными процессами совмещения в области производства МЭМС и СИД, а также 3D-интеграции.

Шаблон и пластина/подложка
Размер пластины	1"- 200мм
Макс. размер подложки	200 x 200мм
Мин. размер кусочков	5 x 5мм
Толщина пластины	макс. 10мм
Размер шаблона	Стандартно 2" x 2" До 9" x 9" (SEMI)
Режимы экспонирования
Контакт	Мягкий, жесткий, вакуумный
Зазор	Зазор экспонирования 1– 300 мм
Точность настройки зазора	1 мкм
Вакуумный контакт	Регулируется до -80 кПа
Режимы	Постоянное питание, пост. доза
Опции	Экспонирование по всему полю, ступенчатое экспонирование
Экспонирующая оптика
Разрешение	См. стр. 6
Диапазон длины волны	UV400 350–450 нм UV300 280–350 нм UV250 240–260 нм
Источник экспонирования	Hg –лампы 350–1000Вт (опционно 5000Вт)
Равномерность интенсивности	< 3.5 % (200mm)
Методы совмещения
Совмещение сверху (TSA)	точность < 0.5 мкм (совмещ. с подсказками и рекомендуемые SUSS мишени пластин)
Совмещение сверху (BSA)	точность < 1.0 мкм
Диапазон фокуса TSA	1– 400 мкм (AL400 – моторизован. фокус представление изображения)
Точность, установка сращивания	2 мкм
Столик
Диапазон перемещений MA	X: ± 5 мм Y: ± 5 мм θ: ± 5°
Диапазон перемещений BA	X: ± 3 мм Y: ± 3 мм θ: ± 3°
Разрешение	0.1 мкм
Микроскоп TSA
Диапазон перемещения	X: 33 – 202 мм Y: +18, –100 мм θ: ± 5°
Микроскоп BSA
Диапазон перемещения	X: 20 – 210 мм Y: ±22 мм Фокус: 6 мм
ГИП
Windows XP
Неограниченное хранение рецептов
Удаленный доступ
Коммуникации
Вакуум	< – 0.8 кПа
Сжатый воздух	0.6 - 0.8 МПа
Азот	> 0.5 МПа
Требования к питанию
Питание	напряжение AC 230 В ±10 % частота 50–60 Гц
Габариты
Ширина x Глубина	1350 x 1000 мм = 1.35 м2
Высота	1803 мм
Вес	~ 750 кг
Безопасность оператора и эргономичность
Сертификат SEMI S2
Сертификат SEMI S8
Электромагнитная совместимость
Соответствует стандартам CE